Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NSVMMBTH81LT1G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMBTH81LT1G

NSVMMBTH81LT1G

NSVMMBTH81LT1G
;
NSVMMBTH81LT1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBTH81LT1G
  • Описание:
    Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20VВсе характеристики

Минимальная цена NSVMMBTH81LT1G при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBTH81LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBTH81LT1G

Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

  • Маркировка: NSVMMBTH81LT1G
  • Производитель: ON Semiconductor

Основные параметры:

  • Тип: PNP
  • Объемный тип: SOT-23
  • Напряжение вCollector-Emitter (VCE): 20В

Плюсы:

  • Компактность: Использование SOT-23 корпуса позволяет уменьшить размеры электронных устройств.
  • Высокая надежность: ON Semiconductor известен высоким качеством своих продуктов.
  • Устойчивость к перегреву: Модели данного типа обычно имеют хорошие термические характеристики.

Минусы:

  • Работа только в режиме PNP: Не подходит для применения в цепях с низким входным сигналом.
  • Ограниченная мощность: Из-за малого объемного типа корпуса, транзистор не предназначен для работы при больших значениях тока или напряжения.

Общее назначение:

  • Изменение состояния цепей
  • Усиление сигнала
  • Переключение нагрузок

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Радиоэлектроника
  • Устройства управления
  • Цифровые и аналоговые электронные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBTH81LT1G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 NSVMMBTH81LT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 5712 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    73 ₽
  • 100
    39 ₽
  • 1000
    26.4 ₽
  • 6000
    16.6 ₽
  • 15000
    16.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBTH81LT1G
  • Описание:
    Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20VВсе характеристики

Минимальная цена NSVMMBTH81LT1G при покупке от 1 шт 73.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBTH81LT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBTH81LT1G

Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V

  • Маркировка: NSVMMBTH81LT1G
  • Производитель: ON Semiconductor

Основные параметры:

  • Тип: PNP
  • Объемный тип: SOT-23
  • Напряжение вCollector-Emitter (VCE): 20В

Плюсы:

  • Компактность: Использование SOT-23 корпуса позволяет уменьшить размеры электронных устройств.
  • Высокая надежность: ON Semiconductor известен высоким качеством своих продуктов.
  • Устойчивость к перегреву: Модели данного типа обычно имеют хорошие термические характеристики.

Минусы:

  • Работа только в режиме PNP: Не подходит для применения в цепях с низким входным сигналом.
  • Ограниченная мощность: Из-за малого объемного типа корпуса, транзистор не предназначен для работы при больших значениях тока или напряжения.

Общее назначение:

  • Изменение состояния цепей
  • Усиление сигнала
  • Переключение нагрузок

Применение:

  • Автомобильная электроника
  • Радиоэлектроника
  • Устройства управления
  • Цифровые и аналоговые электронные системы
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBTH81LT1G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23

Техническая документация

 NSVMMBTH81LT1G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП