Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
NSVMMBTH81LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G

NSVMMBTH81LT3G
;
NSVMMBTH81LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBTH81LT3G
  • Описание:
    Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20VВсе характеристики

Минимальная цена NSVMMBTH81LT3G при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBTH81LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBTH81LT3G

Транзистор NSVMMBTH81LT3G производства ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Пакет: SOT-23
    • Максимальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 20В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству ON Semiconductor.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Малый размер корпуса (SOT-23), что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент усиления (β) может ограничивать его применение в некоторых высокопроизводительных схемах.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками при использовании источников питания.
    • Изменение состояния цепей.
    • Регулировка уровня напряжения или тока.
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления двигателем.
    • Автомобильные электронные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Электронные устройства бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBTH81LT3G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 NSVMMBTH81LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 38083 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    72 ₽
  • 100
    39 ₽
  • 1000
    26 ₽
  • 5000
    20.6 ₽
  • 20000
    17.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NSVMMBTH81LT3G
  • Описание:
    Транзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20VВсе характеристики

Минимальная цена NSVMMBTH81LT3G при покупке от 1 шт 72.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NSVMMBTH81LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NSVMMBTH81LT3G

Транзистор NSVMMBTH81LT3G производства ON Semiconductor

  • Основные параметры:
    • Тип: PNP
    • Пакет: SOT-23
    • Максимальное напряжение вCollector-Emitter (VCEO): 20В
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря качественному производству ON Semiconductor.
    • Устойчивость к перегреву.
    • Малый размер корпуса (SOT-23), что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент усиления (β) может ограничивать его применение в некоторых высокопроизводительных схемах.
  • Общее назначение:
    • Управление нагрузками при использовании источников питания.
    • Изменение состояния цепей.
    • Регулировка уровня напряжения или тока.
  • Применение в устройствах:
    • Системы управления двигателем.
    • Автомобильные электронные системы.
    • Промышленное оборудование.
    • Электронные устройства бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики NSVMMBTH81LT3G

  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    20V
  • Трансформация частоты
    600MHz
  • Рассеивание мощности
    225mW
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    60 @ 5mA, 10V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    50mA
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3

Техническая документация

 NSVMMBTH81LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BFY90 PBFREEТранзистор: RF TRANS NPN 15V 1.4GHZ TO72
    1 296Кешбэк 194 балла
    HFA3127MJ/883Транзистор: DUAL MARKED (5962-9474901MEA)
    5 735Кешбэк 860 баллов
    HFA3127B96-HCТранзистор: RF 0.037A, 5-ELEMENT, ULTRA HIGH
    56 693Кешбэк 8 503 балла
    BFR181E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    40Кешбэк 6 баллов
    BFP183E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP193E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFP181E7764HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT143-4
    53Кешбэк 7 баллов
    BFR92PE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR106E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 15V 5GHZ SOT23-3
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR193L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
    59Кешбэк 8 баллов
    BFR182E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    BFR750L3RHE6327Транзистор: RF BIPOLAR TRANSISTOR
    89Кешбэк 13 баллов
    BFR460L3E6327XTMA1Транзистор: RF TRANS NPN 5.8V 22GHZ TSLP-3-1
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR93AE6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 6GHZ SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    BFR183E6327HTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
    98Кешбэк 14 баллов
    BFP196WNH6327XTSA1Транзистор: RF TRANS NPN 12V 7.5GHZ SOT343-4
    115Кешбэк 17 баллов
    NSVF3007SG3T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
    30Кешбэк 4 балла
    NSVF5501SKT3GТранзистор: RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
    68Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT3GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVMMBTH81LT1GТранзистор: SOT-23 PNP TRANSISTOR 20V
    72Кешбэк 10 баллов
    NSVF5488SKT3GТранзистор: BIP NPN 70MA 10V FT=7G
    77Кешбэк 11 баллов
    CPH6074-TL-EТранзистор: TRANSISTOR
    81Кешбэк 12 баллов
    NSVF4015SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/
    83Кешбэк 12 баллов
    NSVF4020SG4T1GТранзистор: RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP
    93Кешбэк 13 баллов
    NSVF6003SB6T1GТранзистор: RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
    93Кешбэк 13 баллов
    MX0912B351YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    47 489Кешбэк 7 123 балла
    MZ0912B50YТранзистор: RF POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1-E
    53 867Кешбэк 8 080 баллов
    BLS3135-65IТранзистор: MICROWAVE POWER TRANSISTOR (AMPL
    85 746Кешбэк 12 861 балл
    MT3S111TU,LFТранзистор: RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N
    59Кешбэк 8 баллов
    MT4S300U(TE85L,O,FТранзистор: X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE
    113Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки биполярных транзисторов
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП