Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
NTLJF3117PT1G

NTLJF3117PT1G

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена NTLJF3117PT1G при покупке от 1 шт 147 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTLJF3117PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTLJF3117PT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    531 pF @ 10 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Isolated)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    710mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-WDFN (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    NTLJF3117
Техническая документация
NTLJF3117PT1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 101 шт
    в наличии
  • 51648 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    147 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 1000
    41 ₽
  • 6000
    32 ₽
  • 15000
    29 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена NTLJF3117PT1G при покупке от 1 шт 147 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NTLJF3117PT1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NTLJF3117PT1G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    100mOhm @ 2A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    531 pF @ 10 V
  • Особенности полевого транзистора
    Schottky Diode (Isolated)
  • Рассеивание мощности (Макс)
    710mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-WDFN (2x2)
  • Корпус
    6-WDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    NTLJF3117
Техническая документация
NTLJF3117PT1G.pdf
pdf. 0 kb