NTMFS4C10NT1G-001 транзистор, MOSFET N-CH, 30В, 8.2А, 750мВт

NTMFS4C10NT1G-001 от компании ON Semiconductor — MOSFET N-канальный с напряжением срабатывания 30В, мощностью 8,2А и максимальным током провода 46А, размером корпуса 5DFN.

• Основные параметры:
  • Напряжение срабатывания (V_GS(th)): ≤ 4 В
  • Максимальный ток провода (I_D(on)): 46 А
  • Максимальный ток разрядного тока (I_D(off)): 8,2 А
  • Напряжение срабатывания (V_GS): 30 В
  • Технология производства: Si
  • Количество контактов: 5
• Плюсы:
  • Высокая проводимость в режиме "включенного" состояния
  • Низкий ток утечки в режиме "выключенного" состояния
  • Малый размер корпуса (5DFN), что позволяет сэкономить пространство на печатной плате
  • Устойчивость к перегрузкам
• Минусы:
  • Могут быть проблемы с термостабильностью при высоких нагрузках
  • Требуется дополнительное охлаждение для обработки высоких токов
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения в электронных устройствах
  • Переключение высоких токов в силовых системах
  • Использование в преобразователях энергии
  • Применение в системах управления двигателей
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильные системы
  • Системы питания и преобразования энергии
  • Мощные электронные устройства
  • Промышленное оборудование
  • Электротехнические приборы