Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
NVTFS4C05NWFTAG
  • В избранное
  • В сравнение
NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG
;
NVTFS4C05NWFTAG

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS4C05NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS4C05NWFTAG при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS4C05NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом. Это устройство предназначено для использования в различных электронных системах.

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 22А (в режиме разряда) / 102А (в режиме импульсного разряда)
  • Тепловая мощность (PTH): 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN (8-гнездная прямоугольная дифференциальная фасонная оболочка)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому временем переключения (trrmss)
  • Высокая плотность мощности благодаря малому размеру корпуса (8WDFN)
  • Низкий сопротивление канала (RDS(on))
  • Высокая способность к импульсной нагрузке

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высоких уровнях тока
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Необходимость использования качественных радиаторов для эффективного охлаждения

Общее назначение: Устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая плотность мощности и высокая скорость переключения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для преобразования напряжения
  • Приводы для промышленных систем
  • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS4C05NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 102A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1988 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS4

Техническая документация

 NVTFS4C05NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb
  • 760 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    287 ₽
  • 10
    260 ₽
  • 100
    208 ₽
  • 500
    176 ₽
  • 3000
    144 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    NVTFS4C05NWFTAG
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 22A/102A 8WDFNВсе характеристики

Минимальная цена NVTFS4C05NWFTAG при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NVTFS4C05NWFTAG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NVTFS4C05NWFTAG

NVTFS4C05NWFTAG — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтронным каналом. Это устройство предназначено для использования в различных электронных системах.

  • Номинальное напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток нагрузки (ID): 22А (в режиме разряда) / 102А (в режиме импульсного разряда)
  • Тепловая мощность (PTH): 8Вт
  • Форм-фактор: 8WDFN (8-гнездная прямоугольная дифференциальная фасонная оболочка)

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому временем переключения (trrmss)
  • Высокая плотность мощности благодаря малому размеру корпуса (8WDFN)
  • Низкий сопротивление канала (RDS(on))
  • Высокая способность к импульсной нагрузке

Минусы:

  • Высокие требования к охлаждению при высоких уровнях тока
  • Высокая стоимость по сравнению с другими типами MOSFET
  • Необходимость использования качественных радиаторов для эффективного охлаждения

Общее назначение: Устройство используется в различных приложениях, где требуется высокая плотность мощности и высокая скорость переключения, такие как:

  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Инверторы для преобразования напряжения
  • Приводы для промышленных систем
  • Блоки питания для компьютеров и серверов
Выбрано: Показать

Характеристики NVTFS4C05NWFTAG

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    22A (Ta), 102A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1988 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.2W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-WDFN (3.3x3.3)
  • Корпус
    8-PowerWDFN
  • Base Product Number
    NVTFS4

Техническая документация

 NVTFS4C05NWFTAG.pdf
pdf. 0 kb
Доставка
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП