NXH80B120H2Q0SG

NXH80B120H2Q0SG транзистор IGBT модуль, PIM, 1200В, 40А, DUAL BOOST

Производитель:
onsemi
Артикул:
NXH80B120H2Q0SG
Описание:
Транзистор: PIM 1200V, 40A DUAL BOOSTВсе характеристики

Минимальная цена NXH80B120H2Q0SG при покупке от 3 шт 16 015 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NXH80B120H2Q0SG с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание NXH80B120H2Q0SG

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

, .

Основные параметры:

PIM: 1200В

Размер тока: 40А

Тип: Двусторонний топливный буст-транзистор

Плюсы:

Высокая надежность и долговечность

Высокое напряжение срабатывания (PIM)

Высокая способность к переносу тепла

Устойчивость к электрическим помехам

Минусы:

Высокие требования к проектированию системы охлаждения

Цена может быть выше, чем у аналогичных компонентов

Общее назначение:

Обеспечение стабильного питания в системах с переменным напряжением

Контроль напряжения на выходе преобразователей

Оптимизация энергоэффективности в различных приложениях

Применение в устройствах:

Автомобильные системы питания

Преобразователи напряжения для электроники

Блоки питания для компьютеров и серверов

Промышленные преобразователи

Энергосберегающие системы