QSD123

QSD123 ON SEMICONDUCTOR PHOTO TRANSISTOR, 880NM

• Основные параметры:
• Длина волны чувствительности: 880 нм
• Тип устройства: фотохолострон (photo transistor)
• Материал: кремниевый (Si)
• Напряжение рабочего диапазона: 5-30 В
• Ток пропускания: до 100 мА
• Плюсы:
• Высокая чувствительность к инфракрасному излучению
• Устойчивость к шумам
• Простота в использовании и подключении
• Надежность и долговечность
• Минусы:
• Низкая скорость ответа по сравнению с фотодиодами
• Зависимость от температуры
• Существует риск повреждения при воздействии на высокие уровни света
• Общее назначение:
• Детекторы инфракрасного излучения
• Системы безопасности и контроля доступа
• Распознавание лиц и объектов
• Инфракрасные системы связи
• Медицинское оборудование для измерения температуры
• В каких устройствах применяется:
• Видеокамеры и системы ночного видения
• Автомобильные системы помощи водителю (ADAS)
• Датчики движения в бытовой технике
• Игровые контроллеры и периферийное оборудование
• Системы дистанционного управления