QSE113

QSE113 ON SEMICONDUCTOR SENSOR PHOTO 880NM SIDE VIEW RAD.

• Основные параметры:
• Длина волны: 880 nm
• Тип датчика: фотодиод
• Полупроводник: GaAs (галлиум асфальтид)
• Способ измерения: радужная карта (side view)
• Плюсы:
• Высокая чувствительность к инфракрасному излучению
• Устойчивость к электромагнитным помехам
• Низкий уровень шума
• Малый размер и легкость интеграции в устройства
• Минусы:
• Высокая стоимость производства
• Относительная чувствительность к температурным изменениям
• Необходимость использования специализированного оборудования для измерений
• Общее назначение:
• Измерение инфракрасного излучения
• Мониторинг температуры
• Датчики расстояния
• Биометрические системы (например, распознавание отпечатков пальцев)
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы ночного видения
• Биометрические сканеры для доступа
• Медицинские приборы для измерения температуры тела
• Системы контроля качества продукции
• Инфракрасные тепловизоры