R1LV0416DSB-7LI#B0

R1LV0416DSB-7LIB0 от Renesas Electronics Corporation — микросхема стандартной SRAM (память с непосредственной адресацией).

• Объем памяти: 256Kx16 бит.
• Время доступа: 70 нс.
• Технология: CMOS.
• Напряжение питания: 3.3 В.
• Интерфейс: параллельный.

Плюсы:

• Высокая скорость работы (70 нс).
• Доступность в больших объемах.
• Устойчивость к воздействию электрических помех.

Минусы:

• Необходимость постоянного питания для сохранения данных.
• Высокая потребляемая мощность по сравнению с другими типами памяти.

Общее назначение:

SRAM используется для кэширования данных и инструкций в системах управления процессором, временного хранения информации в сетевых устройствах и других системах, требующих быстрого доступа к данным.

Применение в устройствах:

• Процессоры и системы управления.
• Сетевые устройства (роутеры, свитчи).
• Беспроводные устройства (мобильные телефоны, Wi-Fi модули).
• Системы хранения данных.