R1LV5256ESP-7SI#S0

R1LV5256ESP-7SIS0 — микросхема, выпущенная компанией Renesas Electronics Corporation. Это интегральная схема статического случайного доступного памяти (SRAM) с параллельным интерфейсом и объёмом 256 килобитов (KBIT).

• Общие характеристики:
• Тип: SRAM (статическая случайная память)
• Объём: 256 КБит
• Интерфейс: параллельный
• Форм-фактор: 28-пиновый СОП
• Основные параметры:
• Рабочее напряжение: 3,3 В
• Частота работы: до 20 МГц
• Тип памяти: SRAM (статическое)
• Количество битов: 256 Кбит (32 кбайта)
• Преимущества:
• Высокая скорость доступа к данным
• Стабильность работы при различных условиях
• Устойчивость к ошибкам
• Простота использования и подключения
• Недостатки:
• Высокое энергопотребление по сравнению с динамической памятью (DRAM)
• Более высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Общее назначение:
• Хранение временных данных и конфигурационной информации
• Кэширование данных в процессорах
• Системное программное обеспечение
• Применение в устройствах:
• Процессоры
• Микроконтроллеры
• Системы управления
• Приборы измерений
• Автомобильные системы