SGB02N120ATMA1 транзистор IGBT, NPT, 1200В, 6.2А, 62Вт

SGB02N120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с параметрами 1200В напряжения и 6.2А тока.

• Основные параметры:
  • Напряжение блокировки: 1200В
  • Рейтинговый ток: 6.2А
  • Мощность: 62Вт
  • Формат корпуса: TO263-3
• Плюсы:
  • Высокая эффективность работы
  • Долгий срок службы
  • Устойчивость к перегреву
  • Высокая надежность
  • Малый размер и легкость
• Минусы:
  • Высокие цены по сравнению с другими типами транзисторов
  • Требуются дополнительные компоненты для управления
• Общее назначение: Используется для управления током в различных приборах и системах, требующих высокой мощности и точности управления.
• Применяется в:
  • Автомобильных системах
  • Системах управления двигателем
  • Промышленной электронике
  • Энергосберегающих устройствах
  • Переносных зарядных устройствах