SGD02N60BUMA1 транзистор IGBT, NPT, 600В, 6А, 30Вт

SGD02N60BUMA1 Infineon Technologies — это транзистор IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) с характеристиками 600В и 6А, мощностью 30Вт и корпусом TO252-3.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (UD(ON)): 600В
• Номинальный ток (ID): 6А
• Мощность (Ptot): 30Вт
• Корпус: TO252-3

• Плюсы:
• Высокая эффективность
• Долгий срок службы
• Устойчивость к перегреву
• Малый размер и легкость

• Минусы:
• Сложность в управлении по сравнению с другими типами транзисторов
• Требует дополнительных компонентов для защиты

• Общее назначение:
• Использование в промышленных преобразователях частоты
• Регулирование напряжения в системах питания
• Обеспечение защиты электронных устройств
• Применение в инверторах для электроприводов

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Промышленные преобразователи частоты
• Электроприводы и асинхронные моторы
• Системы энергоснабжения и управления