SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Минимальная цена SI2347DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 13 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2347DS-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI2347DS-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    705 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2347
Техническая документация
 3593009.pdf
pdf. 0 kb
  • 498 шт
    в наличии
  • 1045 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    13
  • 5+
    40.5
  • 25+
    36.5
  • 100+
    32
  • 500+
    29
  • 3000+
    27

Минимально и кратно 1 шт

Возможно искали