Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SI2347DS-T1-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3
;
SI2347DS-T1-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2347DS-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2347DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2347DS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3 VISHAY Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение на коллекторе (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток на дрене (ID(on)): 5А
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и простота монтажа благодаря форм-фактору SOT23-3
    • Высокая надежность и стабильность
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для управления
    • Управляемость может быть ограничена в некоторых условиях
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Инверторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Автомобильные системы
    • Системы управления светом
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI2347DS-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    705 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2347

Техническая документация

 SI2347DS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 414 шт
    в наличии
  • 3531 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    52 ₽
  • 50
    36 ₽
  • 500
    23 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SI2347DS-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена SI2347DS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 52.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2347DS-T1-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3 VISHAY Транзистор: MOSFET P-CH 30V 5A SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET P-канальный
    • Номинальное напряжение на коллекторе (VDS(on)): 30В
    • Номинальный ток на дрене (ID(on)): 5А
    • Форм-фактор: SOT23-3
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Малый размер и простота монтажа благодаря форм-фактору SOT23-3
    • Высокая надежность и стабильность
    • Экономичное использование энергии
  • Минусы:
    • Требует дополнительного питания для управления
    • Управляемость может быть ограничена в некоторых условиях
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Переключение электрических цепей
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
  • Применение в устройствах:
    • Инверторы напряжения
    • Приводы двигателей
    • Автомобильные системы
    • Системы управления светом
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SI2347DS-T1-GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42mOhm @ 3.8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    22 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    705 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2347

Техническая документация

 SI2347DS-T1-GE3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PHP23NQ11T,127MOSFET N-CH 110V 23A TO220AB
    640Кешбэк 96 баллов
    PSMN6R5-80PS,127MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB
    650Кешбэк 97 баллов
    BUK764R4-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    657Кешбэк 98 баллов
    PHP20NQ20T,127MOSFET N-CH 200V 20A TO220AB
    661Кешбэк 99 баллов
    PSMN015-100P,127MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
    663Кешбэк 99 баллов
    PSMN008-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    676Кешбэк 101 балл
    PSMN057-200B,118MOSFET N-CH 200V 39A D2PAK
    680Кешбэк 102 балла
    BUK964R4-40B,118MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    690Кешбэк 103 балла
    BUK763R9-60E,118MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK
    693Кешбэк 103 балла
    PSMN5R0-80BS,118MOSFET N-CH 80V 100A D2PAK
    695Кешбэк 104 балла
    PSMN5R6-100BS,118MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
    718Кешбэк 107 баллов
    BUK7240-100A,118MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
    738Кешбэк 110 баллов
    BUK765R0-100E,118MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    741Кешбэк 111 баллов
    BUK963R3-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    745Кешбэк 111 баллов
    PSMN3R0-60PS,127MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    766Кешбэк 114 баллов
    BUK763R1-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    771Кешбэк 115 баллов
    PSMN7R6-100BSEJMOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
    775Кешбэк 116 баллов
    PSMN1R1-40BS,118MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
    807Кешбэк 121 балл
    PSMN2R6-60PSQMOSFET N-CH 60V 150A TO220AB
    819Кешбэк 122 балла
    PSMN1R8-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    834Кешбэк 125 баллов
    PSMN2R8-80BS,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    834Кешбэк 125 баллов
    BUK762R6-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    836Кешбэк 125 баллов
    BUK962R5-60E,118MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
    847Кешбэк 127 баллов
    PSMN2R0-30PL,127MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
    849Кешбэк 127 баллов
    PHB191NQ06LT,118MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    855Кешбэк 128 баллов
    BUK964R2-80E,118MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
    868Кешбэк 130 баллов
    PSMN4R6-60PS,127Транзистор: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    880Кешбэк 132 балла
    PSMN004-60B,118MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
    887Кешбэк 133 балла
    PSMN013-100BS,118MOSFET N-CH 100V 68A D2PAK
    895Кешбэк 134 балла
    PSMN005-75B,118MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
    912Кешбэк 136 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Одиночные IGBT транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды силовые
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП