Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3
;
SIHG22N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHG22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1033.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением переключения 600В и током непрерывного тока 21А, разработанный компанией Vishay Siliconix. Используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VDS(on)): 600В
    • Ток непрерывного тока (ID): 21А
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
    • Малый тепловыделение, что позволяет уменьшить размеры термодизайна.
    • Компактный размер пакета TO247AC обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET.
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна из-за высокого тепловыделения при работе в режиме максимального тока.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка напряжения и мощности.
    • Переключение высоких напряжений.
  • Применение:
    • Автомобильная электроника.
    • Инверторы и преобразователи питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60E-GE3

Техническая документация

SIHG22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 494 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 033 ₽
  • 25
    597 ₽
  • 100
    492 ₽
  • 500
    409 ₽
  • 1000
    387 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHG22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1033.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением переключения 600В и током непрерывного тока 21А, разработанный компанией Vishay Siliconix. Используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VDS(on)): 600В
    • Ток непрерывного тока (ID): 21А
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
    • Малый тепловыделение, что позволяет уменьшить размеры термодизайна.
    • Компактный размер пакета TO247AC обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET.
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна из-за высокого тепловыделения при работе в режиме максимального тока.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка напряжения и мощности.
    • Переключение высоких напряжений.
  • Применение:
    • Автомобильная электроника.
    • Инверторы и преобразователи питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60E-GE3

Техническая документация

SIHG22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка