Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SIHG22N60E-GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3
;
SIHG22N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHG22N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1050.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением переключения 600В и током непрерывного тока 21А, разработанный компанией Vishay Siliconix. Используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VDS(on)): 600В
    • Ток непрерывного тока (ID): 21А
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
    • Малый тепловыделение, что позволяет уменьшить размеры термодизайна.
    • Компактный размер пакета TO247AC обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET.
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна из-за высокого тепловыделения при работе в режиме максимального тока.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка напряжения и мощности.
    • Переключение высоких напряжений.
  • Применение:
    • Автомобильная электроника.
    • Инверторы и преобразователи питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1920 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    227W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG22

Техническая документация

 SIHG22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 153 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 050 ₽
  • 10
    952 ₽
  • 100
    500 ₽
  • 500
    470 ₽
  • 1000
    441 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SIHG22N60E-GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 600V 21A TO247ACВсе характеристики

Минимальная цена SIHG22N60E-GE3 при покупке от 1 шт 1050.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHG22N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHG22N60E-GE3

SIHG22N60E-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением переключения 600В и током непрерывного тока 21А, разработанный компанией Vishay Siliconix. Используется в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение переключения (VDS(on)): 600В
    • Ток непрерывного тока (ID): 21А
    • Пакет: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
    • Малый тепловыделение, что позволяет уменьшить размеры термодизайна.
    • Компактный размер пакета TO247AC обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET.
    • Необходимость соблюдения правил термодизайна из-за высокого тепловыделения при работе в режиме максимального тока.
  • Общее назначение:
    • Управление токами в электрических цепях.
    • Регулировка напряжения и мощности.
    • Переключение высоких напряжений.
  • Применение:
    • Автомобильная электроника.
    • Инверторы и преобразователи питания.
    • Системы управления двигателем.
    • Промышленные преобразователи.
Выбрано: Показать

Характеристики SIHG22N60E-GE3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    21A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    180mOhm @ 11A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    86 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1920 pF @ 100 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    227W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AC
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    SIHG22

Техническая документация

 SIHG22N60E-GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP3008SFGQ-7MOSFET P-CH 30V 8.6A PWRDI3333-8
    233Кешбэк 34 балла
    DMP4015SSS-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 9.1A 8SO
    233Кешбэк 34 балла
    ZXMN6A25KTCMOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
    239Кешбэк 35 баллов
    DMP3015LSSQ-13MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
    239Кешбэк 35 баллов
    DMN6066SSS-13MOSFET N-CH 60V 3.7A 8SO
    241Кешбэк 36 баллов
    ZXMP10A17GTA
    241Кешбэк 36 баллов
    ZXMP3A16GTAMOSFET P-CH 30V 5.4A SOT223
    242Кешбэк 36 баллов
    DMP4013LFG-7MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
    243Кешбэк 36 баллов
    ZVN4525GTAТранзистор: MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223
    243Кешбэк 36 баллов
    DMP4025LSS-13Транзистор: MOSFET P-CH 40V 6A 8SO
    243Кешбэк 36 баллов
    ZXMP6A17KTCMOSFET P-CH 60V 4.4A TO252-3
    245Кешбэк 36 баллов
    ZXMN2B14FHTAMOSFET N-CH 20V 3.5A SOT23-3
    245Кешбэк 36 баллов
    ZXMP6A16KTCТранзистор: MOSFET P-CH 60V 5.4A TO252-3
    245Кешбэк 36 баллов
    DMP6023LSS-13MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO
    249Кешбэк 37 баллов
    ZXMN3A03E6TAMOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
    251Кешбэк 37 баллов
    DMP26M7UFG-7MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333
    251Кешбэк 37 баллов
    ZVN4210ASTZMOSFET N-CH 100V 450MA E-LINE
    251Кешбэк 37 баллов
    ZVP4424ZTAMOSFET P-CH 240V 200MA SOT89-3
    252Кешбэк 37 баллов
    ZVP2110AТранзистор: MOSFET P-CH 100V 230MA TO92-3
    254Кешбэк 38 баллов
    ZVN0545GTAMOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
    255Кешбэк 38 баллов
    DMP3018SFK-7MOSFET P-CH 30V 10.2A 6UDFN
    255Кешбэк 38 баллов
    ZVN4306AVMOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
    255Кешбэк 38 баллов
    DI9400TMOSFET P-CH 30V 3.4A 8-SOP
    255Кешбэк 38 баллов
    BS250PMOSFET P-CH 45V 230MA E-LINE
    255Кешбэк 38 баллов
    ZVN4525ZTAMOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3
    257Кешбэк 38 баллов
    DMTH4004SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 31A PWRDI5060
    263Кешбэк 39 баллов
    ZXMP10A16KTCMOSFET P-CH 100V 3A TO252-3
    263Кешбэк 39 баллов
    ZVN4206GTAMOSFET N-CH 60V 1A SOT223
    263Кешбэк 39 баллов
    DMP3012LPS-13MOSFET P-CH 30V 13.2A PWRDI5060
    265Кешбэк 39 баллов
    ZXMN6A25GTAMOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
    265Кешбэк 39 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Транзисторные модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП