SIHG22N60E-GE3 полевой транзистор, N-канал, 600В, 21А, 227Вт

SIHG22N60E-GE3 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с напряжением переключения 600В и током непрерывного тока 21А, разработанный компанией Vishay Siliconix. Используется в различных электронных устройствах.

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Напряжение переключения (V_DS(on)): 600В
• Ток непрерывного тока (I_D): 21А
• Пакет: TO247AC

• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию современных технологий производства.
• Малый тепловыделение, что позволяет уменьшить размеры термодизайна.
• Компактный размер пакета TO247AC обеспечивает эффективное охлаждение и простоту монтажа.

• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с некоторыми другими типами MOSFET.
• Необходимость соблюдения правил термодизайна из-за высокого тепловыделения при работе в режиме максимального тока.

• Общее назначение:
• Управление токами в электрических цепях.
• Регулировка напряжения и мощности.
• Переключение высоких напряжений.

• Применение:
• Автомобильная электроника.
• Инверторы и преобразователи питания.
• Системы управления двигателем.
• Промышленные преобразователи.