SIHG30N60E-GE3 транзистор, MOSFET N-канал, 600В, 29А, 250Вт

SIHG30N60E-GE3 — это MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 600В и током дrain 29А, упаковка TO247AC.

• Основные параметры:
• Напряжение разрыва (V_DS(on)): 600В
• Ток дrain (I_D): 29А
• Упаковка: TO247AC

• Плюсы:
• Высокое напряжение разрыва до 600В
• Высокий ток дrain до 29А
• Устойчивость к перегреву благодаря TO247AC упаковке
• Эффективное управление нагрузкой

• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
• Необходимо соблюдать теплоотвод для предотвращения перегрева

• Общее назначение:
• Регулирование напряжения в электронных устройствах
• Контроль тока в силовых цепях
• Использование в источниках питания

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах управления
• Источниках питания для компьютеров и серверов
• Системах управления двигателей
• Телевизорах и других аудио-видео устройствах