Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHG30N60E-GE3

SIHG30N60E-GE3 транзистор, MOSFET N-канал, 600В, 29А, 250Вт

SIHG30N60E-GE3
SIHG30N60E-GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SIHG30N60E-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 600V 29A TO247ACВсе характеристики

Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Минимальная цена 585 ₽/шт, купить SIHG30N60E-GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 527 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена с НДС
  • 1
    1 418 ₽
  • 10
    957 ₽
  • 100
    696 ₽
  • 500
    585 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Доставка

Характеристики

Техническая документация

Техническая информация
pdf. 0 kb

Описание

SIHG30N60E-GE3 — это MOSFET N-канальный с напряжением разрыва 600В и током дrain 29А, упаковка TO247AC.

  • Основные параметры:
    • Напряжение разрыва (VDS(on)): 600В
    • Ток дrain (ID): 29А
    • Упаковка: TO247AC
  • Плюсы:
    • Высокое напряжение разрыва до 600В
    • Высокий ток дrain до 29А
    • Устойчивость к перегреву благодаря TO247AC упаковке
    • Эффективное управление нагрузкой
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с менее мощными MOSFET
    • Необходимо соблюдать теплоотвод для предотвращения перегрева
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Контроль тока в силовых цепях
    • Использование в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Источниках питания для компьютеров и серверов
    • Системах управления двигателей
    • Телевизорах и других аудио-видео устройствах