Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3
;
SIHP16N50C-E3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена SIHP16N50C-E3 при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP16N50C-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500В 16А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение врубки: 500В
    • Ток при максимальной рабочей температуре: 16А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный тип: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
    • Могут возникать проблемы при работе в условиях высоких температур без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение и управления током в силовых цепях
    • Ограничение тока в различных приборах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Системы управления двигателем
    • Силовые преобразователи
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP16N50C-E3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP16

Техническая документация

SIHP16N50C-E3.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу
Минимально и кратно 4 шт

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена SIHP16N50C-E3 при покупке от 4 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP16N50C-E3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3 Siliconix - Vishay Siliconix MOSFET N-CH 500В 16А TO220AB

  • Основные параметры:
    • Напряжение врубки: 500В
    • Ток при максимальной рабочей температуре: 16А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Монтажный тип: TO220AB
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Эффективное управление током
    • Малый ток утечки
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления
  • Минусы:
    • Требует дополнительных компонентов для защиты от перегрузок
    • Могут возникать проблемы при работе в условиях высоких температур без эффективного охлаждения
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения в электронных устройствах
    • Переключение и управления током в силовых цепях
    • Ограничение тока в различных приборах
  • Применение в устройствах:
    • Автомобильная электроника
    • Источники питания
    • Системы управления двигателем
    • Силовые преобразователи
    • Компьютеры и серверы
Выбрано: Показать

Характеристики SIHP16N50C-E3

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP16

Техническая документация

SIHP16N50C-E3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
Минимально и кратно 4 шт