Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
SMMBFJ310LT3G
  • В избранное
  • В сравнение
SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G
;
SMMBFJ310LT3G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ310LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ310LT3G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ310LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G onsemi Транзистор: RF MOSFET N-ЧИНИТСЯ JFET 10В SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Номинальное напряжение: 10В
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий динамический диодный мост
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Меньше термостабильности при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Аmplификация сигналов
    • Фильтрация сигналов
    • Передача сигналов в радиотехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Радиопередатчики
    • Мобильные телефоны
    • Инверторы
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ310LT3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ310

Техническая документация

 SMMBFJ310LT3G.pdf
pdf. 0 kb
  • 26690 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    100 ₽
  • 100
    40.6 ₽
  • 1000
    26.5 ₽
  • 5000
    21 ₽
  • 20000
    18 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    SMMBFJ310LT3G
  • Описание:
    Транзистор: RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23Все характеристики

Минимальная цена SMMBFJ310LT3G при покупке от 1 шт 100.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SMMBFJ310LT3G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SMMBFJ310LT3G

SMMBFJ310LT3G onsemi Транзистор: RF MOSFET N-ЧИНИТСЯ JFET 10В SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: RF MOSFET N-канальный JFET
    • Номинальное напряжение: 10В
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к шумам
    • Низкий динамический диодный мост
    • Малый размер пакета для компактного дизайна
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными MOSFET
    • Меньше термостабильности при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Аmplификация сигналов
    • Фильтрация сигналов
    • Передача сигналов в радиотехнических устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Радиоприемники
    • Радиопередатчики
    • Мобильные телефоны
    • Инверторы
    • Беспроводные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики SMMBFJ310LT3G

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    N-Channel JFET
  • Усиление
    12dB
  • Тестовое напряжение
    10 V
  • Current Rating (Amps)
    60mA
  • Тестовый ток
    10 mA
  • Нормальное напряжение
    25 V
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Base Product Number
    SMMBFJ310

Техническая документация

 SMMBFJ310LT3G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MRFE6VP61K25HR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230
    72 752Кешбэк 10 912 баллов
    AFV121KHR5Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    239 492Кешбэк 35 923 балла
    MRFE6VP5600HR5Транзистор: FET RF 2CH 130V 230MHZ NI1230
    155 981Кешбэк 23 397 баллов
    MRF8S9120NR3Транзистор: RF MOSFET LDMOS 28V OM780-2
    16 746Кешбэк 2 511 баллов
    MRFE6VP61K25HSR5Транзистор: FET RF 2CH 133V 230MHZ NI-1230S
    66 737Кешбэк 10 010 баллов
    BLF8G09LS-400PGWQТранзистор: RF MOSFET LDMOS DL 28V CDFM8
    16 865Кешбэк 2 529 баллов
    CLF1G0035-100PUТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V LDMOST
    54 987Кешбэк 8 248 баллов
    BLD6G22L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLF988S,112Транзистор: RF FET LDMOS 110V 20.8DB SOT539B
    81 052Кешбэк 12 157 баллов
    BLD6G21L-50,112Транзистор: RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
    16 131Кешбэк 2 419 баллов
    BLL6H1214L-250,112Транзистор: RF FET LDMOS 100V 17DB SOT502A
    59 274Кешбэк 8 891 балл
    2SK3720-5-TB-EТранзистор: N-CHANNEL MOSFET
    56Кешбэк 8 баллов
    MRFE6VP5150NR1Транзистор: RF MOSFET LDMOS DL 50V TO270
    9 574Кешбэк 1 436 баллов
    NE3510M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 4GHZ M04
    204Кешбэк 30 баллов
    NE55410GR-T3-AZТранзистор: FET RF 65V 2.14GHZ 16-HTSSOP
    1 099Кешбэк 164 балла
    NE3503M04-T2-AТранзистор: FET RF 4V 12GHZ M04
    224Кешбэк 33 балла
    NE3512S02-T1C-AТранзистор: HJ-FET NCH 13.5DB S02
    178Кешбэк 26 баллов
    CGH40010FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440166
    17 841Кешбэк 2 676 баллов
    CGHV1F006SТранзистор: RF MOSFET HEMT 40V 12DFN
    14 390Кешбэк 2 158 баллов
    CGHV40100FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    68 595Кешбэк 10 289 баллов
    CGH40035FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    55 982Кешбэк 8 397 баллов
    CGH40120FТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440193
    109 305Кешбэк 16 395 баллов
    CGHV40050FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    64 838Кешбэк 9 725 баллов
    CGH40010PRF MOSFET HEMT 28V 440196
    22 704Кешбэк 3 405 баллов
    CGH40180PPТранзистор: RF MOSFET HEMT 28V 440199
    175 560Кешбэк 26 334 балла
    CGHV35150FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440193
    97 456Кешбэк 14 618 баллов
    CGHV59350FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440217
    428 047Кешбэк 64 207 баллов
    MRF174Транзистор: FET RF 65V 150MHZ 211-11
    12 574Кешбэк 1 886 баллов
    2N5484Транзистор: JFET N-CH 25V 5MA TO92
    595Кешбэк 89 баллов
    2N4340JFET N-CH 50V TO18
    2 755Кешбэк 413 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Диоды - ВЧ
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Модули драйверов питания
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП