Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
SQ2308CES-T1_GE3
  • В избранное
  • В сравнение
SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3
;
SQ2308CES-T1_GE3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQ2308CES-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23Все характеристики

Минимальная цена SQ2308CES-T1_GE3 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ2308CES-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРВЯЧНЫЙ 60В 2,3А SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-червячный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальная токовая способность: 2,3А
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с низкими напряжениями
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность в различных пакетах
  • Минусы:
    • Низкая токовая способность по сравнению с другими типами MOSFET
    • Не рекомендуется для высокоточной применения из-за возможных флуктуаций тока
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие низковольтные устройства
    • Маломощные преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SQ2308CES-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 2.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    205 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SQ2308

Техническая документация

 SQ2308CES-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
  • 1497 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    137 ₽
  • 10
    88 ₽
  • 50
    70 ₽
  • 100
    63 ₽
  • 500
    58 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    VISHAY
  • Артикул:
    SQ2308CES-T1_GE3
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23Все характеристики

Минимальная цена SQ2308CES-T1_GE3 при покупке от 1 шт 137.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SQ2308CES-T1_GE3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание SQ2308CES-T1_GE3

SQ2308CES-T1_GE3 VISHAY MOSFET N-ЧЕРВЯЧНЫЙ 60В 2,3А SOT23

  • Основные параметры:
    • Тип: N-червячный MOSFET
    • Номинальное напряжение: 60В
    • Номинальная токовая способность: 2,3А
    • Пакет: SOT23
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с низкими напряжениями
    • Малый размер и легкий вес
    • Устойчивость к перегреву
    • Доступность в различных пакетах
  • Минусы:
    • Низкая токовая способность по сравнению с другими типами MOSFET
    • Не рекомендуется для высокоточной применения из-за возможных флуктуаций тока
  • Общее назначение:
    • Использование в источниках питания
    • Регулировка напряжения
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (телефоны, планшеты)
    • Беспроводные устройства
    • Электронные часы и другие низковольтные устройства
    • Маломощные преобразователи напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики SQ2308CES-T1_GE3

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    150mOhm @ 2.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    205 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SQ2308

Техническая документация

 SQ2308CES-T1_GE3.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SFW9530TMMOSFET P-CH 100V 10.5A D2PAK
    103Кешбэк 15 баллов
    HUFA76619D3STMOSFET N-CH 100V 18A TO252AA
    107Кешбэк 16 баллов
    HUF75925D3STMOSFET N-CH 200V 11A TO252AA
    107Кешбэк 16 баллов
    FQI5N15TUMOSFET N-CH 150V 5.4A I2PAK
    109Кешбэк 16 баллов
    NDH832PMOSFET P-CH 20V 4.2A SUPERSOT8
    111Кешбэк 16 баллов
    SSU1N50BTU1.3A, 520V, 5.3OHM, N-CHANNEL,
    113Кешбэк 16 баллов
    FQP17N08LMOSFET N-CH 80V 16.5A TO220-3
    113Кешбэк 16 баллов
    FDD6782AMOSFET N-CH 25V 20A DPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    HUF76609D3SMOSFET N-CH 100V 10A DPAK
    117Кешбэк 17 баллов
    HUF75307T3STMOSFET N-CH 55V 2.6A SOT223-4
    117Кешбэк 17 баллов
    HUFA76629D3SMOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
    117Кешбэк 17 баллов
    FDD8770MOSFET N-CH 25V 35A TO252AA
    119Кешбэк 17 баллов
    HUF76407D3MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    NDS9405MOSFET P-CH 20V 4.3A 8SOIC
    119Кешбэк 17 баллов
    FDD8750MOSFET N-CH 25V 6.5A/2.7A DPAK
    119Кешбэк 17 баллов
    FQI10N20CTUMOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK
    119Кешбэк 17 баллов
    FQU4N25TUMOSFET N-CH 250V 3A IPAK
    121Кешбэк 18 баллов
    FQU5N60CTUMOSFET N-CH 600V 2.8A IPAK
    127Кешбэк 19 баллов
    HUFA76609D3STMOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
    127Кешбэк 19 баллов
    HUF75321D3SMOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
    127Кешбэк 19 баллов
    HUF75321S3SMOSFET N-CH 55V 35A D2PAK
    127Кешбэк 19 баллов
    FDD6512AMOSFET N-CH 20V 10.7A/36A DPAK
    129Кешбэк 19 баллов
    FDD6778AMOSFET N-CH 25V 12A/10A DPAK
    129Кешбэк 19 баллов
    HUF75309P3MOSFET N-CH 55V 19A TO220-3
    129Кешбэк 19 баллов
    HUF76423D3SMOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
    129Кешбэк 19 баллов
    FQI2N30TUMOSFET N-CH 300V 2.1A I2PAK
    129Кешбэк 19 баллов
    HUF76423D3MOSFET N-CH 60V 20A IPAK
    129Кешбэк 19 баллов
    FQP2N50MOSFET N-CH 500V 2.1A TO220-3
    129Кешбэк 19 баллов
    FQP5N30MOSFET N-CH 300V 5.4A TO220-3
    129Кешбэк 19 баллов
    FDU8796MOSFET N-CH 25V 35A IPAK
    129Кешбэк 19 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - JFET
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные триодные тиристоры
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП