Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
STB23NM50N

STB23NM50N

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена STB23NM50N при покупке от 1 шт 1122 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB23NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STB23NM50N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1330 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB23
Техническая документация
STB23NM50N.pdf
pdf. 0 kb
  • 966 шт
    в наличии
  • 496 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 122 ₽
  • 10
    774 ₽
  • 100
    613 ₽
  • 500
    517 ₽
  • 1000
    421 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена STB23NM50N при покупке от 1 шт 1122 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить STB23NM50N с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики STB23NM50N

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    190mOhm @ 8.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    45 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1330 pF @ 50 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D²PAK (TO-263)
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    STB23
Техническая документация
STB23NM50N.pdf
pdf. 0 kb