Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

BOM

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
TK10J80E,S1E
  • В избранное
TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E

  • В избранное
TK10J80E,S1E
TK10J80E,S1E

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Toshiba
  • Артикул:
    TK10J80E,S1E
  • Описание:
    MOSFET N-CH 800V 10A TO3PВсе характеристики

Минимальная цена TK10J80E,S1E при покупке от 1 шт 787 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TK10J80E,S1E с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

  • 60 шт
    3-6 недель

1 шт. по 1 ₽/шт

0 ₽

  • Количество
    Цена
  • 1
    787 ₽
  • 10
    452 ₽
  • 100
    369 ₽
  • 500
    335 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
Доставка
Выбрано: Показать

Характеристики TK10J80E,S1E

  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1Ohm @ 5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    46 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2000 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-3P(N)
  • Корпус
    TO-3P-3, SC-65-3
  • Base Product Number
    TK10J80

Техническая документация

 TK10J80E,S1E.pdf
pdf. 0 kb

Описание TK10J80E,S1E

TK10J80E, S1E Toshiba MOSFET N-CH 800V 10A TO3P

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 800В
    • Номинальный ток: 10А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO3P
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения/выключения
    • Малый ток стока при отключенном мосте
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Существует риск повреждения при неправильной работе
    • Необходимо соблюдать условия охлаждения
  • Общее назначение:
    • Использование в регулируемых источниках питания
    • Применение в инверторах и преобразователях
    • Работа в системах управления двигателей
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления двигателем
    • Системы управления промышленного оборудования
    • Электронные устройства с регулируемым напряжением
    • Инверторы для домашнего использования
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП