VNB28N04

VNB28N04 ST Microelectronics Микросхема

• Основные параметры:
• Тип: полупроводниковый транзистор MOSFET
• Мощность: 100 В
• Рейтинг тока: 28 А
• Технология производства: 65 нм
• Форм-фактор: SOT-223
• Плюсы:
• Высокая скорость включения и выключения
• Низкий ток шунтирующего тока
• Хорошая термическая стабильность
• Компактный размер
• Минусы:
• Высокие цены по сравнению с аналогичными компонентами более старых технологий
• Требует точного проектирования системы охлаждения из-за высокой мощности
• Общее назначение:
• Управление нагрузками в электронных устройствах
• Изменение направления тока в электрических цепях
• Регулирование напряжения и тока
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника (например, системы управления двигателем)
• Промышленное оборудование (например, преобразователи напряжения)
• Энергосберегающие устройства
• Системы питания