VNB35NV04TR-E

Микросхема VNB35NV04TR-E от STMicroelectronics – это N-канальный полевой транзистор (MOSFET), предназначенный для использования в качестве драйвера мощности.

• Основные параметры:
• Напряжение сток-исток (Vds): 40В
• Максимальный ток стока (Id): 35А
• Сопротивление открытого канала (Rds(on)): Типичное значение около 0.008 Ом при Vgs = 10В
• Напряжение открытия затвора (Vgs(th)): 1.0В
• Мощность рассеяния (Pd): 125Вт (при D2PAK корпусе с радиатором)
• Тип корпуса: D2PAK
• Плюсы:
• Низкое сопротивление открытого канала (Rds(on)) обеспечивает высокую эффективность и низкие потери мощности.
• Высокий ток стока позволяет использовать микросхему в мощных приложениях.
• Корпус D2PAK обеспечивает хорошее теплоотведение.
• Логический уровень управления затвором.
• Минусы:
• Ограниченное напряжение (40В) может быть недостаточно для некоторых применений.
• Требуется радиатор для рассеивания тепла при больших токах.
• Общее назначение:
• Драйвер мощности для различных нагрузок, таких как двигатели, лампы, нагревательные элементы.
• Управление током в импульсных источниках питания (SMPS).
• Защита от перегрузки по току.
• Применяется в устройствах:
• Бесперебойные источники питания (UPS).
• Регуляторы напряжения.
• Драйверы двигателей.
• Автомобильная электроника.
• Промышленное оборудование.