VS-GT90SA120U транзистор IGBT, 1200В, 169А, 781Вт

VS-GT90SA120U от производителя Vishay General Semiconductor, Diodes Division

• Тип компонента: Транзистор IGBT (Инжекционно-перетекающий биполярный транзистор)
• Форм-фактор: SOT-227 (одиночный пакет)
• Основные параметры:
  • Рейтингное напряжение приcollector-emitter (V_CE(OFF)) = 900 В
  • Рейтингная токовая плотность (R_DS(on)) = 120 мОм
  • Предел частоты работы (f_T) = 15 кГц
• Плюсы:
  • Высокая проводимость в режиме насыщения
  • Низкое значение R_DS(on)
  • Устойчивость к перегреву
  • Малый размер и легкость
• Минусы:
  • Высокие потери при работе в режиме перехода
  • Необходимость использования радиатора для эффективного охлаждения
• Общее назначение:
  • Переключение высоковольтных цепей
  • Привод электромеханических устройств
  • Измерительные приборы
• Применение в устройствах:
  • Автомобильные системы управления двигателем
  • Промышленное оборудование
  • Электронные преобразователи
  • Энергосберегающие приборы