W631GG6MB-12 TR

Микросхема W631GG6MB-12 TR от Winbond Electronics

• Тип: DRAM (Память с разрядным буфером)
• Объем: 1Гбит (128МБ)
• Интерфейс: Парallel (Параллельный интерфейс)
• Напряжение питания: 96В (FBSRAM)
• Количество пинов: FBGA (496)

Основные параметры:

• Поддерживает высокие скорости работы
• Высокая плотность данных
• Устойчивость к ошибкам благодаря технологии FBSRAM

Плюсы:

• Высокая производительность
• Экономичное использование пространства на материнской плате из-за параллельного интерфейса
• Стабильная работа даже при высоких напряжениях

Минусы:

• Высокое энергопотребление по сравнению с современными технологиями
• Необходимо более сложное питание и регулировка напряжения

Общее назначение:

• Используется для кэширования данных в процессорах и графических картах
• Составная часть систем хранения данных в серверах и вычислительных центрах

Применяется в:

• Процессорах и графических картах
• Системах хранения данных в серверах и вычислительных центрах
• Высокопроизводительных вычислительных устройствах