Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
ZVN4525E6TA
  • В избранное
  • В сравнение
ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA
;
ZVN4525E6TA

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    ZVN4525E6TA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6Все характеристики

Минимальная цена ZVN4525E6TA при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZVN4525E6TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA DIODES INCORPORATED MOSFET N-Ч 250В 230mA SOT-23-6 — это полевая транзисторная мостовая диодная разновидность MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким сопротивлением на проводимость при отрицательном напряжении на канале.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение на вводе-выводе (VGS(th)): не более 2,5 В
    • Номинальное напряжение на разделяющем канале (VDS): 250 В
    • Максимальный ток дrain (ID): 230 mA
    • Пакет: SOT-23-6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление на проводимость в режиме насыщения
    • Небольшой размер и легкость в интеграции
    • Устойчивость к электромагнитному излучению
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме перехода
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Переключение и усилительных цепях
    • Регулируемые источники питания
    • Цифровые системы управления
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателей
    • Игровых консолях и периферии
    • Компьютерах и ноутбуках
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики ZVN4525E6TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    230mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±40V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    72 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-6
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    ZVN4525

Техническая документация

 ZVN4525E6TA.pdf
pdf. 0 kb
  • 2822 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    198 ₽
  • 10
    131 ₽
  • 100
    98 ₽
  • 500
    81 ₽
  • 1000
    76 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    ZVN4525E6TA
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6Все характеристики

Минимальная цена ZVN4525E6TA при покупке от 1 шт 198.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить ZVN4525E6TA с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание ZVN4525E6TA

ZVN4525E6TA DIODES INCORPORATED MOSFET N-Ч 250В 230mA SOT-23-6 — это полевая транзисторная мостовая диодная разновидность MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с низким сопротивлением на проводимость при отрицательном напряжении на канале.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение на вводе-выводе (VGS(th)): не более 2,5 В
    • Номинальное напряжение на разделяющем канале (VDS): 250 В
    • Максимальный ток дrain (ID): 230 mA
    • Пакет: SOT-23-6
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление на проводимость в режиме насыщения
    • Небольшой размер и легкость в интеграции
    • Устойчивость к электромагнитному излучению
  • Минусы:
    • Высокие потери при работе в режиме перехода
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в цифровых и аналоговых цепях
    • Переключение и усилительных цепях
    • Регулируемые источники питания
    • Цифровые системы управления
  • Применяется в:
    • Системах управления двигателей
    • Игровых консолях и периферии
    • Компьютерах и ноутбуках
    • Автомобильных системах
    • Мобильных устройствах
Выбрано: Показать

Характеристики ZVN4525E6TA

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    230mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.65 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±40V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    72 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.1W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-6
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    ZVN4525

Техническая документация

 ZVN4525E6TA.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMT6007LFG-7MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    187Кешбэк 28 баллов
    DMP2035UFCL-7MOSFET P-CH 20V 6.6A 6UDFN
    188Кешбэк 28 баллов
    DMPH6050SK3-13MOSFET P-CH 60V 7.2A/23.6A TO252
    189Кешбэк 28 баллов
    ZVP0545GTAMOSFET P-CH 450V 75MA SOT223
    189Кешбэк 28 баллов
    DMT6009LSS-13MOSFET N-CH 60V 10.8A 8SO T&R 2
    190Кешбэк 28 баллов
    DMP6050SFG-7MOSFET P-CH 60V 4.8A PWRDI3333-8
    190Кешбэк 28 баллов
    DMP6023LFG-13MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
    190Кешбэк 28 баллов
    ZVP3310AMOSFET P-CH 100V 140MA TO92-3
    190Кешбэк 28 баллов
    BS107PSTZMOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
    190Кешбэк 28 баллов
    ZVN4206AVSTZТранзистор: MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE
    191Кешбэк 28 баллов
    DMN4026SK3-13MOSFET N-CH 40V 28A TO252
    192Кешбэк 28 баллов
    DMN4030LK3-13MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252-3
    192Кешбэк 28 баллов
    ZXMN10A08GTAMOSFET N-CH 100V 2A SOT223
    194Кешбэк 29 баллов
    DMN2011UFDE-7MOSFET N-CH 20V 11.7A 6UDFN
    198Кешбэк 29 баллов
    ZVN4525E6TAMOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
    198Кешбэк 29 баллов
    DMT6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    200Кешбэк 30 баллов
    DMT6010LFG-7MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
    201Кешбэк 30 баллов
    ZXMN6A08E6TAMOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
    201Кешбэк 30 баллов
    DMP6185SK3-13MOSFET P-CH 60V 9.4A TO252
    203Кешбэк 30 баллов
    ZVP2106AMOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
    204Кешбэк 30 баллов
    ZVN4206AMOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
    204Кешбэк 30 баллов
    ZXMP3A17E6TAMOSFET P-CH 30V 3.2A SOT-23-6
    204Кешбэк 30 баллов
    ZXMN10B08E6TAMOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
    205Кешбэк 30 баллов
    ZVNL120AMOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
    206Кешбэк 30 баллов
    DMN3008SFG-13MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
    207Кешбэк 31 балл
    ZXMN10A11GTAMOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223
    207Кешбэк 31 балл
    ZXMN7A11GTAMOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
    207Кешбэк 31 балл
    ZXMN4A06GTAMOSFET N-CH 40V 5A SOT223
    208Кешбэк 31 балл
    BS170FTAMOSFET N-CH 60V 0.15MA SOT23-3
    209Кешбэк 31 балл
    ZXMN6A11GTAMOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
    209Кешбэк 31 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Транзисторные модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды силовые
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП