Новый Samsung BM1773: накопитель E3.S на 245,76 ТБ для инфраструктуры ИИ

Новый Samsung BM1773: накопитель E3.S на 245,76 ТБ для инфраструктуры ИИ

Компания Samsung Electronics представила корпоративный твердотельный накопитель BM1773, рассчитанный на системы искусственного интеллекта и высокопроизводительные вычисления. Модель предназначена для хранения крупных контекстных окон, мультимодальных наборов данных, векторных баз и информации для RAG-платформ.

Высокая плотность хранения

Накопитель выполнен в стандартизированном форм-факторе E3.S и в максимальной конфигурации вмещает 245,76 ТБ. В основе устройства лежит вертикальная флеш-память V-NAND девятого поколения с ячейками QLC и плотностью кристаллов до 2 Тбит. Большая ёмкость одного SSD позволяет уменьшить количество дисков в серверных стойках, сократить число соединений и снизить нагрузку на системы питания и охлаждения.

  • Ёмкость до 245,76 ТБ: хранение больших ИИ-наборов данных на одном накопителе
  • Форм-фактор E3.S: интеграция в плотные серверные платформы
  • QLC V-NAND 9-го поколения: высокая плотность размещения данных

Производительность для задач ИИ

BM1773 использует 16-канальный интерфейс PCIe 5.0, обеспечивающий высокую скорость обмена между накопителем и сервером. Последовательная запись достигает 4,5 ГБ/с, а производительность при случайной записи — 50 000 IOPS. Такие параметры важны при параллельной индексации данных, работе с кэшами ключей и значений, а также при обработке крупных векторных баз.

Samsung BM1773 объединяет сверхвысокую ёмкость и PCIe 5.0, помогая снизить число накопителей в ИИ-инфраструктуре без потери производительности.

Надёжность и защита информации

Несмотря на применение QLC-памяти, ресурс накопителя заявлен на уровне 0,6 перезаписи всего объёма в сутки (DWPD). Это вдвое больше по объёму записываемых данных относительно решений предыдущего поколения. Система изоляции и восстановления ошибок на уровне кристалла позволяет продолжать чтение и запись даже при сбое отдельного флеш-чипа. Для защиты данных предусмотрены криптографические механизмы, соответствующие требованиям CNSA 2.0 и FIPS.

Характеристики Samsung BM1773

Параметр Значение
Модель Samsung BM1773
Максимальная ёмкость 245,76 ТБ
Форм-фактор E3.S
Тип памяти QLC V-NAND девятого поколения
Интерфейс PCIe 5.0, 16 каналов
Скорость последовательной записи До 4,5 ГБ/с
Случайная запись До 50 000 IOPS
Ресурс записи 0,6 DWPD
Безопасность Поддержка CNSA 2.0 и FIPS

Samsung BM1773 ориентирован на дата-центры, где необходимо компактно хранить огромные объёмы информации для ИИ-вычислений. Высокая ёмкость, производительный интерфейс PCIe 5.0, повышенный ресурс и встроенные механизмы защиты делают SSD практичным решением для масштабируемых серверных платформ.

Технические параметры и заявленное назначение BM1773 соответствуют материалу первоисточника.