Новый Samsung BM1773: накопитель E3.S на 245,76 ТБ для инфраструктуры ИИ

Компания Samsung Electronics представила корпоративный твердотельный накопитель BM1773, рассчитанный на системы искусственного интеллекта и высокопроизводительные вычисления. Модель предназначена для хранения крупных контекстных окон, мультимодальных наборов данных, векторных баз и информации для RAG-платформ.
Высокая плотность хранения
Накопитель выполнен в стандартизированном форм-факторе E3.S и в максимальной конфигурации вмещает 245,76 ТБ. В основе устройства лежит вертикальная флеш-память V-NAND девятого поколения с ячейками QLC и плотностью кристаллов до 2 Тбит. Большая ёмкость одного SSD позволяет уменьшить количество дисков в серверных стойках, сократить число соединений и снизить нагрузку на системы питания и охлаждения.
- Ёмкость до 245,76 ТБ: хранение больших ИИ-наборов данных на одном накопителе
- Форм-фактор E3.S: интеграция в плотные серверные платформы
- QLC V-NAND 9-го поколения: высокая плотность размещения данных
Производительность для задач ИИ
BM1773 использует 16-канальный интерфейс PCIe 5.0, обеспечивающий высокую скорость обмена между накопителем и сервером. Последовательная запись достигает 4,5 ГБ/с, а производительность при случайной записи — 50 000 IOPS. Такие параметры важны при параллельной индексации данных, работе с кэшами ключей и значений, а также при обработке крупных векторных баз.
Samsung BM1773 объединяет сверхвысокую ёмкость и PCIe 5.0, помогая снизить число накопителей в ИИ-инфраструктуре без потери производительности.
Надёжность и защита информации
Несмотря на применение QLC-памяти, ресурс накопителя заявлен на уровне 0,6 перезаписи всего объёма в сутки (DWPD). Это вдвое больше по объёму записываемых данных относительно решений предыдущего поколения. Система изоляции и восстановления ошибок на уровне кристалла позволяет продолжать чтение и запись даже при сбое отдельного флеш-чипа. Для защиты данных предусмотрены криптографические механизмы, соответствующие требованиям CNSA 2.0 и FIPS.
Характеристики Samsung BM1773
| Параметр | Значение |
|---|---|
| Модель | Samsung BM1773 |
| Максимальная ёмкость | 245,76 ТБ |
| Форм-фактор | E3.S |
| Тип памяти | QLC V-NAND девятого поколения |
| Интерфейс | PCIe 5.0, 16 каналов |
| Скорость последовательной записи | До 4,5 ГБ/с |
| Случайная запись | До 50 000 IOPS |
| Ресурс записи | 0,6 DWPD |
| Безопасность | Поддержка CNSA 2.0 и FIPS |
Samsung BM1773 ориентирован на дата-центры, где необходимо компактно хранить огромные объёмы информации для ИИ-вычислений. Высокая ёмкость, производительный интерфейс PCIe 5.0, повышенный ресурс и встроенные механизмы защиты делают SSD практичным решением для масштабируемых серверных платформ.
Технические параметры и заявленное назначение BM1773 соответствуют материалу первоисточника.