Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
IGBT транзисторы

IGBT транзисторы

Сбросить фильтр
Популярные

IGBT транзисторы

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это полупроводниковые приборы, сочетающие преимущества MOSFET и биполярных транзисторов (BJT). Они используются для управления высокими напряжениями и токами в системах силовой электроники, таких как преобразователи частоты, инверторы, источники бесперебойного питания (UPS), силовые модули, электроприводы, и оборудование для сварки и индукционного нагрева.

Преимущества и особенности

IGBT транзисторы отличаются высокой эффективностью, способностью управлять большими токами и напряжениями, низкими потерями на проводимость и высокой скоростью переключения. Они обладают изолированным затвором, что упрощает управление устройством.

Основные характеристики IGBT транзисторов:

  • Принцип работы: управление осуществляется напряжением на затворе, а прохождение тока через коллектор-эмиттер происходит по биполярному механизму.
  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): до 1700 В и выше для промышленных моделей.
  • Максимальный ток коллектора (Ic): от десятков ампер до сотен ампер в зависимости от типа транзистора.
  • Управляющее напряжение затвора: обычно в диапазоне 10-20 В.
  • Потери: низкие статические и переключательные потери, обеспечивающие высокую энергоэффективность.
  • Скорость переключения: достаточно высокая, но ниже, чем у MOSFET, из-за накопления заряда.
  • Корпус: стандартные корпуса TO-247, TO-220, модули и компактные исполнения для SMD монтажа.
  • Рабочий температурный диапазон: от -40 до +150°C.
  • Применение: в преобразователях частоты, инверторах для солнечных панелей, электротранспорте, силовых драйверах двигателей и системах распределения энергии.
  • Особенности: наличие встроенных диодов (в некоторых моделях), защита от перегрева и перегрузки.

Совместимость и практическое применение

IGBT транзисторы легко интегрируются в системы управления мощностью благодаря низким требованиям к управляющему сигналу. Они широко применяются в энергетике для преобразования постоянного и переменного тока, в железнодорожных системах для тяговых приводов, в ветрогенераторах и в системах HVAC для управления компрессорами и вентиляторами.

Эти устройства обеспечивают надежность, долговечность и энергоэффективность, что делает их незаменимыми компонентами в силовой электронике. IGBT транзисторы идеально подходят для применения в высоковольтных и высокоточных системах, где важны низкие потери энергии и высокая производительность.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП