Войдите в профиль
Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения
Москва
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это полупроводниковые приборы, сочетающие преимущества MOSFET и биполярных транзисторов (BJT). Они используются для управления высокими напряжениями и токами в системах силовой электроники, таких как преобразователи частоты, инверторы, источники бесперебойного питания (UPS), силовые модули, электроприводы, и оборудование для сварки и индукционного нагрева.
IGBT транзисторы отличаются высокой эффективностью, способностью управлять большими токами и напряжениями, низкими потерями на проводимость и высокой скоростью переключения. Они обладают изолированным затвором, что упрощает управление устройством.
Основные характеристики IGBT транзисторов:
IGBT транзисторы легко интегрируются в системы управления мощностью благодаря низким требованиям к управляющему сигналу. Они широко применяются в энергетике для преобразования постоянного и переменного тока, в железнодорожных системах для тяговых приводов, в ветрогенераторах и в системах HVAC для управления компрессорами и вентиляторами.
Эти устройства обеспечивают надежность, долговечность и энергоэффективность, что делает их незаменимыми компонентами в силовой электронике. IGBT транзисторы идеально подходят для применения в высоковольтных и высокоточных системах, где важны низкие потери энергии и высокая производительность.