Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
IGBT транзисторы

IGBT транзисторы

Сбросить фильтр
Популярные
IHW30N160R5XKSA1

INFINEON TECHNOLOGIES

IHW30N160R5XKSA1
Транзистор: HOME APPLIANCES 14

141 шт - в наличии

94 шт - 3-6 недель

951 ₽

1 шт — 951 ₽

5 шт — 838 ₽

RGS80TS65DHRC11

Rohm Semiconductor

RGS80TS65DHRC11
Транзистор: 8US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650

5 шт - в наличии

254 шт - 3-6 недель

1 683 ₽

1 шт — 1 683 ₽

30 шт — 824 ₽

BSM100GB120DN2KHOSA1

Infineon Technologies

BSM100GB120DN2KHOSA1
Транзистор: IGBT MOD 1200V 145A 700W

4 шт - в наличии

745 шт - 3-6 недель

18 932 ₽

1 шт — 18 932 ₽

4 шт — 17 211 ₽

F4150R12KS4BOSA1

Infineon Technologies

F4150R12KS4BOSA1
Транзистор: IGBT MOD 1200V 180A 960W

2 шт - в наличии

4 шт - 3-6 недель

30 894 ₽

1 шт — 30 894 ₽

10 шт — 22 762 ₽

RJP4006AGE-00#P5

Renesas Electronics Corporation

RJP4006AGE-00#P5
Транзистор: IGBTS, 400V, 120A, N-CHANNEL

2906843 шт - 3-6 недель

54 940 ₽

268 шт — 205 ₽

TIG064E8-TL-H-ON

onsemi

TIG064E8-TL-H-ON
Транзистор: N-CHANNEL IGBT FOR LIGHT-CONTROL

1178138 шт - 3-6 недель

55 132 ₽

308 шт — 179 ₽

FGAF20S65AQ

onsemi

FGAF20S65AQ
Транзистор: IGBT 650V 20A TO-3PF

855884 шт - 3-6 недель

55 230 ₽

210 шт — 263 ₽

500 шт — 225 ₽

RJP4005ANS-01#Q1

Renesas Electronics Corporation

RJP4005ANS-01#Q1
Транзистор: IGBTS, 400V, 150A, N-CHANNEL

744000 шт - 3-6 недель

54 648 ₽

198 шт — 276 ₽

CY25AAJ-8F-T13#F10

Renesas Electronics Corporation

CY25AAJ-8F-T13#F10
Транзистор: N-CHANNEL IGBT 400V, 150A

167204 шт - 3-6 недель

55 074 ₽

201 шт — 274 ₽

FGPF4536

Fairchild Semiconductor

FGPF4536
Транзистор: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO

104688 шт - 3-6 недель

54 600 ₽

312 шт — 175 ₽

MGP20N36CL

onsemi

MGP20N36CL
Транзистор: IGBT T0220 360V CL

82758 шт - 3-6 недель

54 873 ₽

273 шт — 201 ₽

RJP43F4ADPP-90#T2F

Renesas Electronics Corporation

RJP43F4ADPP-90#T2F
Транзистор: IGBT 430V, 40A FOR PLASMA TV

77250 шт - 3-6 недель

55 195 ₽

133 шт — 415 ₽

RJP6055DPP-90#T2

Renesas Electronics Corporation

RJP6055DPP-90#T2
Транзистор: IGBT 630V, 40A FOR PLASMA TV

52399 шт - 3-6 недель

55 040 ₽

172 шт — 320 ₽

SGB8206ANSL3G

onsemi

SGB8206ANSL3G
Транзистор: IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL

48731 шт - 3-6 недель

54 918 ₽

243 шт — 226 ₽

FGAF40S65AQ

onsemi

FGAF40S65AQ
Транзистор: 650V 40A FS4 SA IGBT

48695 шт - 3-6 недель

610 ₽

1 шт — 610 ₽

30 шт — 394 ₽

HGT1S20N36G3VLS

Fairchild Semiconductor

HGT1S20N36G3VLS
Транзистор: IGBT, 37.7A, 355V, N-CHANNEL

46563 шт - 3-6 недель

54 793 ₽

157 шт — 349 ₽

HGTG20N60B3-FS

Fairchild Semiconductor

HGTG20N60B3-FS
Транзистор: IGBT, 40A, 600V, N-CHANNEL, TO-2

42154 шт - 3-6 недель

54 913 ₽

89 шт — 617 ₽

SGB8206ANTF4G

onsemi

SGB8206ANTF4G
Транзистор: IGBT 20A, 350V, N-CHANNEL

41601 шт - 3-6 недель

54 918 ₽

243 шт — 226 ₽

RJP4002ANS-00#Q1

Renesas Electronics Corporation

RJP4002ANS-00#Q1
Транзистор: IGBT

32800 шт - 3-6 недель

54 910 ₽

190 шт — 289 ₽

NXH80B120H2Q0SG

onsemi

NXH80B120H2Q0SG
Транзистор: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST

29231 шт - 3-6 недель

48 876 ₽

3 шт — 16 292 ₽

20 шт — 5 955 ₽

IGBT транзисторы

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) — это полупроводниковые приборы, сочетающие преимущества MOSFET и биполярных транзисторов (BJT). Они используются для управления высокими напряжениями и токами в системах силовой электроники, таких как преобразователи частоты, инверторы, источники бесперебойного питания (UPS), силовые модули, электроприводы, и оборудование для сварки и индукционного нагрева.

Преимущества и особенности

IGBT транзисторы отличаются высокой эффективностью, способностью управлять большими токами и напряжениями, низкими потерями на проводимость и высокой скоростью переключения. Они обладают изолированным затвором, что упрощает управление устройством.

Основные характеристики IGBT транзисторов:

  • Принцип работы: управление осуществляется напряжением на затворе, а прохождение тока через коллектор-эмиттер происходит по биполярному механизму.
  • Напряжение коллектор-эмиттер (Vce): до 1700 В и выше для промышленных моделей.
  • Максимальный ток коллектора (Ic): от десятков ампер до сотен ампер в зависимости от типа транзистора.
  • Управляющее напряжение затвора: обычно в диапазоне 10-20 В.
  • Потери: низкие статические и переключательные потери, обеспечивающие высокую энергоэффективность.
  • Скорость переключения: достаточно высокая, но ниже, чем у MOSFET, из-за накопления заряда.
  • Корпус: стандартные корпуса TO-247, TO-220, модули и компактные исполнения для SMD монтажа.
  • Рабочий температурный диапазон: от -40 до +150°C.
  • Применение: в преобразователях частоты, инверторах для солнечных панелей, электротранспорте, силовых драйверах двигателей и системах распределения энергии.
  • Особенности: наличие встроенных диодов (в некоторых моделях), защита от перегрева и перегрузки.

Совместимость и практическое применение

IGBT транзисторы легко интегрируются в системы управления мощностью благодаря низким требованиям к управляющему сигналу. Они широко применяются в энергетике для преобразования постоянного и переменного тока, в железнодорожных системах для тяговых приводов, в ветрогенераторах и в системах HVAC для управления компрессорами и вентиляторами.

Эти устройства обеспечивают надежность, долговечность и энергоэффективность, что делает их незаменимыми компонентами в силовой электронике. IGBT транзисторы идеально подходят для применения в высоковольтных и высокоточных системах, где важны низкие потери энергии и высокая производительность.

IGBT транзисторы (Дискретные полупроводники)

Силовые ключи для современной электроники: почему IGBT-транзисторы незаменимы

Представьте мощный промышленный двигатель, который должен плавно менять скорость вращения, или сварочный аппарат, создающий идеальный шов с колоссальной силой тока. В сердце таких систем вы найдете IGBT-транзистор — гибридное устройство, которое стало краеугольным камнем силовой электроники. Оно сочетает в себе простоту управления биполярного транзистора с высоким входным сопротивлением и скоростью переключения полевого МОП-транзистора. Это делает IGBT идеальным решением для эффективного преобразования значительных количеств энергии, где обычные компоненты просто не справляются с тепловыми и электрическими нагрузками. Их способность работать с напряжениями в тысячи вольт и токами в сотни ампер открывает инженерам возможности для создания более компактных, надежных и экономичных систем.

Эволюция IGBT — это история поиска компромисса между мощностью и эффективностью. Первые образцы, появившиеся в 1980-х, страдали от низкой скорости переключения, что ограничивало их применение низкочастотными преобразователями. Однако технологии не стояли на месте: усовершенствования в процессах производства кремниевых пластин, появление полевой структуры «траншея» (trench-gate) и оптимизация слоя эпитаксии кардинально снизили потери и расширили частотный диапазон. Современные поколения, такие как IGBT4, IGBT5 или IRGP4x, демонстрируют минимальное падение напряжения в открытом состоянии (Vce(sat)) и рекордно короткое время переключения. Это позволило им проникнуть в области, где ранее доминировали силовые MOSFET, например, в инверторы для солнечных электростанций и высокочастотные импульсные источники питания, где ключевым фактором становится не только мощность, но и КПД системы.

Современный IGBT-транзистор в корпусе TO-247

Где работают IGBT: от бытовой техники до космических технологий

Сферы применения IGBT-транзисторов поражают своим разнообразием и масштабом. Без них невозможно представить современный электромобиль: они управляют тяговым двигателем, преобразуя постоянный ток аккумулятора в переменный для плавного и мощного разгона. В промышленности эти компоненты являются сердцем частотных преобразователей, которые позволяют точно контролировать скорость вращения асинхронных двигателей насосов, вентиляторов и конвейерных лент, экономя до 50% электроэнергии. Системы стабилизации напряжения (UPS) и источники сварочного тока также целиком полагаются на надежность IGBT. Даже в вашей домашней кухонной технике, такой как индукционные варочные поверхности или современные микроволновые печи с инверторным управлением, скорее всего, установлены компактные IGBT-модули, которые обеспечивают точный контроль температуры и мощности.

Как выбрать правильный IGBT: ключевые параметры для инженера

Выбор конкретного IGBT-транзистора — это всегда баланс между несколькими критически важными параметрами. Первым делом определяют максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vces), которое должно с запасом превышать рабочее напряжение системы. Далее смотрят на номинальный ток коллектора (Ic) при определенной температуре корпуса, ведь этот показатель резко падает при нагреве. Не менее важны динамические характеристики: время переключения влияет на частотный диапазон и потери, а заряд затвора (Qg) определяет требования к драйверу управления. Для надежной работы в импульсных режимах обязательно проверяют максимальную температуру перехода (Tj) и стойкость к перегрузкам по току (короткому замыканию), которая часто указывается в спецификациях. Учет всех этих факторов гарантирует, что выбранный компонент будет работать стабильно и не станет самым слабым звеном в вашем устройстве.

Почему покупатели выбирают Эиком Ру для поставок электронных компонентов

Компания «Эиком Ру» предлагает не просто каталог деталей, а комплексное решение для профессионалов. Мы тщательно отбираем поставщиков, поэтому каждый IGBT-транзистор в нашем ассортименте — это оригинальная продукция от ведущих мировых брендов, прошедшая многоуровневый контроль качества. Наши клиенты получают доступ к обширным складским запасам, что позволяет сократить время на поиск и логистику до минимума. Мы понимаем, что стоимость проекта складывается из многих факторов, поэтому предлагаем не только конкурентные цены, но и бесплатную доставку заказов по всей России, делая сотрудничество максимально выгодным и удобным для инженеров, конструкторов и procurement-специалистов.

Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП