Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

ddr3

Найдено: 391

    ddr3 в разделе: Модули памяти213

    W631GG8NB09I модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG8NB09I модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (128 Мб × 8), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 78-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    23 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 797 ₽
    • 10 шт - 742 ₽
    797 ₽
    • от 1 шт — 797 ₽
    • от 10 шт — 742 ₽
    MT41J128M16JT-093:K модуль памяти, DRAM, DDR3 SDRAM, 2Гбит, 1.066ГГц
    MT41J128M16JT-093:K модуль памяти, DRAM, DDR3 SDRAM, 2Гбит, 1.066ГГц
    Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (128 Мб × 16), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-TFBGA, формат памяти DRAM
    Micron

    3295 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 3 331 ₽
    3 331 ₽
    • от 1 шт — 3 331 ₽
    MT41J128M16JT-125:K микросхема памяти, SDRAM - DDR3, 2Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В
    MT41J128M16JT-125:K микросхема памяти, SDRAM - DDR3, 2Гбит, 800МГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (128 Мб × 16), тактовая частота 800 МГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-TFBGA, формат памяти DRAM
    MICRON DRM

    1 уп. - 3-6 недель

    • 14 шт. в упаковке1 158 ₽ за ед.
    14 шт. в упаковке • 1158 ₽ за ед.
    16 212 ₽ / уп.
    • 14 шт. в упаковке • 1158 ₽ за ед.
    W631GG6NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG6NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    1 уп. - 3-6 недель

    • 3000 шт. в упаковке525 ₽ за ед.
    3000 шт. в упаковке • 525 ₽ за ед.
    1 575 000 ₽ / уп.
    • 3000 шт. в упаковке • 525 ₽ за ед.
    W631GG6NB-15 TR модуль памяти, Volatile, DDR3 SDRAM, 1Гбит, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG6NB-15 TR модуль памяти, Volatile, DDR3 SDRAM, 1Гбит, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 667 МГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond

    2937 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 658 ₽
    • 3000 шт - 658 ₽
    658 ₽
    • от 1 шт — 658 ₽
    • от 3000 шт — 658 ₽

    ddr3 в разделе: Встраиваемые микросхемы (MCU, MPU, FPGA)39

    MCIMX6Y2DVM05AB встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y2DVM05AB встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 528 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP USA Inc.

    474 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 3 003 ₽
    • 10 шт - 2 376 ₽
    • 25 шт - 2 219 ₽
    • 152 шт - 2 007 ₽
    • 304 шт - 1 951 ₽
    3 003 ₽
    • от 1 шт — 3 003 ₽
    • от 10 шт — 2 376 ₽
    MCIMX6Y2CVK08AB микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 792МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y2CVK08AB микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 792МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 792 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    100 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 845 ₽
    • 10 шт - 2 333 ₽
    • 25 шт - 2 231 ₽
    • 50 шт - 2 173 ₽
    • 100 шт - 2 114 ₽
    2 845 ₽
    • от 1 шт — 2 845 ₽
    • от 10 шт — 2 333 ₽
    MCIMX6Y0DVM05AB микросхема встраиваемая, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y0DVM05AB микросхема встраиваемая, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 528 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    37 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 897 ₽
    • 10 шт - 2 305 ₽
    • 25 шт - 2 105 ₽
    2 897 ₽
    • от 1 шт — 2 897 ₽
    • от 10 шт — 2 305 ₽
    MCIMX6U5EVM10AD встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 1.0ГГц, LPDDR2, LVDDR3, DDR3
    MCIMX6U5EVM10AD встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 1.0ГГц, LPDDR2, LVDDR3, DDR3
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 2 ядра, 32-разрядный, скорость 1,0 ГГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    235 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 12 913 ₽
    • 5 шт - 11 922 ₽
    • 10 шт - 10 929 ₽
    • 25 шт - 10 433 ₽
    12 913 ₽
    • от 1 шт — 12 913 ₽
    • от 5 шт — 11 922 ₽
    MCIMX6U1AVM08AD микропроцессор, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 800МГц, LPDDR2/LVDDR3/DDR3
    MCIMX6U1AVM08AD микропроцессор, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 800МГц, LPDDR2/LVDDR3/DDR3
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 2 ядра, 32-разрядный, скорость 800 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP Semiconductors

    1 уп. - 3-6 недель

    • 24 шт. в упаковке8 084 ₽ за ед.
    24 шт. в упаковке • 8084 ₽ за ед.
    194 016 ₽ / уп.
    • 24 шт. в упаковке • 8084 ₽ за ед.

    Страница