Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

ddr3

Найдено: 391

    ddr3 в разделе: Модули памяти213

    W631GG8NB09I модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG8NB09I модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (128 Мб × 8), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 78-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    23 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 803 ₽
    • 10 шт - 748 ₽
    803 ₽
    • от 1 шт — 803 ₽
    • от 10 шт — 748 ₽
    W631GG6NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG6NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    1 уп. - 3-6 недель

    • 3000 шт. в упаковке529 ₽ за ед.
    3000 шт. в упаковке • 529 ₽ за ед.
    1 587 000 ₽ / уп.
    • 3000 шт. в упаковке • 529 ₽ за ед.
    W631GG6NB-15 TR модуль памяти, Volatile, DDR3 SDRAM, 1Гбит, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG6NB-15 TR модуль памяти, Volatile, DDR3 SDRAM, 1Гбит, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 667 МГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    126 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 944 ₽
    • 10 шт - 726 ₽
    • 25 шт - 630 ₽
    • 50 шт - 591 ₽
    • 100 шт - 565 ₽
    1 944 ₽
    • от 1 шт — 1 944 ₽
    • от 10 шт — 726 ₽
    W631GG6NB11I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 933МГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG6NB11I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 933МГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 933 МГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    2500 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 807 ₽
    • 10 шт - 752 ₽
    • 25 шт - 730 ₽
    • 50 шт - 713 ₽
    • 100 шт - 696 ₽
    807 ₽
    • от 1 шт — 807 ₽
    • от 10 шт — 752 ₽
    W631GG8NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    W631GG8NB09I TR модуль памяти, DDR3 SDRAM, 1Гб, 1.066ГГц, 1.425В ~ 1.575В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (128 Мб × 8), тактовая частота 1,066 ГГц, напряжение питания 1,425…1,575 В, корпус 78-VFBGA, формат памяти DRAM
    Winbond Electronics

    1 уп. - 3-6 недель

    • 2000 шт. в упаковке529 ₽ за ед.
    2000 шт. в упаковке • 529 ₽ за ед.
    1 058 000 ₽ / уп.
    • 2000 шт. в упаковке • 529 ₽ за ед.

    ddr3 в разделе: Встраиваемые микросхемы (MCU, MPU, FPGA)39

    MCIMX6Y2DVM05AB встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y2DVM05AB встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 528 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP USA Inc.

    474 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 3 028 ₽
    • 10 шт - 2 396 ₽
    • 25 шт - 2 238 ₽
    • 152 шт - 2 024 ₽
    • 304 шт - 1 967 ₽
    3 028 ₽
    • от 1 шт — 3 028 ₽
    • от 10 шт — 2 396 ₽
    MCIMX6Y2CVK08AB микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 792МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y2CVK08AB микросхема, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 792МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 792 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    100 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 796 ₽
    • 10 шт - 2 292 ₽
    • 25 шт - 2 192 ₽
    • 50 шт - 2 135 ₽
    • 100 шт - 2 077 ₽
    2 796 ₽
    • от 1 шт — 2 796 ₽
    • от 10 шт — 2 292 ₽
    MCIMX6Y0DVM05AB микросхема встраиваемая, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    MCIMX6Y0DVM05AB микросхема встраиваемая, ARM Cortex-A7, 1 ядро, 528МГц, LPDDR2, DDR3, DDR3L
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 1 ядро, 32 бита, скорость 528 МГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    37 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 846 ₽
    • 10 шт - 2 265 ₽
    • 25 шт - 2 069 ₽
    2 846 ₽
    • от 1 шт — 2 846 ₽
    • от 10 шт — 2 265 ₽
    MCIMX6U5EVM10AD встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 1.0ГГц, LPDDR2, LVDDR3, DDR3
    MCIMX6U5EVM10AD встраиваемая микросхема, ARM Cortex-A9, 2 ядра, 1.0ГГц, LPDDR2, LVDDR3, DDR3
    Встраиваемая микросхема: число ядер/разрядность шины 2 ядра, 32-разрядный, скорость 1,0 ГГц, напряжение портов ввода/вывода 1,8 В, 2,5 В, 2,8 В, 3,3 В
    NXP

    1260 шт - 3-6 недель

    • 60 шт - 14 030 ₽
    Минимально и кратно 60 шт
    841 800 ₽
    • от 60 шт — 14 030 ₽
    MCIMX6U1AVM08AD
    MCIMX6U1AVM08AD
    IC MPU I.MX6DL 800MHZ 624MAPBGA
    NXP Semiconductors

    1 уп. - 3-6 недель

    • 24 шт. в упаковке8 152 ₽ за ед.
    24 шт. в упаковке • 8152 ₽ за ед.
    195 648 ₽ / уп.
    • 24 шт. в упаковке • 8152 ₽ за ед.

    Страница