Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

dram

Найдено: 976

    dram в разделе: Модули памяти772

    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (128 Мб × 16), тактовая частота 933 МГц, напряжение питания 1,283…1,45 В, корпус 96-TFBGA, формат памяти DRAM
    Kingston Technology

    81 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 5 081 ₽
    • 10 шт - 4 704 ₽
    • 25 шт - 4 555 ₽
    • 50 шт - 4 443 ₽
    5 081 ₽
    • от 1 шт — 5 081 ₽
    • от 10 шт — 4 704 ₽
    NDB16PFC-4DIT TR, микросхема памяти, DRAM, SDRAM - DDR2, 1Гбит, 400МГц LTC1558-3.3/LTC1558-5 контроллер резервной батареи, 1.2В, 100мВт, 1.0-1.5В
    NDB16PFC-4DIT TR, микросхема памяти, DRAM, SDRAM - DDR2, 1Гбит, 400МГц LTC1558-3.3/LTC1558-5 контроллер резервной батареи, 1.2В, 100мВт, 1.0-1.5В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 400 МГц, напряжение питания 1,7…1,9 В, корпус 84-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    Insignis Technology Corporation

    1329 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 928 ₽
    • 10 шт - 1 793 ₽
    • 25 шт - 1 738 ₽
    • 50 шт - 1 697 ₽
    • 100 шт - 1 655 ₽
    1 928 ₽
    • от 1 шт — 1 928 ₽
    • от 10 шт — 1 793 ₽
    MT53E1G32D2NP-046 WT:B модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 32Гбит, 2.133ГГц, 1.1В
    MT53E1G32D2NP-046 WT:B модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 32Гбит, 2.133ГГц, 1.1В
    Микросхема памяти: объем памяти 32Gb (1G x 32), тактовая частота 2,133 ГГц, напряжение питания 1,1 В, корпус 200-WFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    Micron Technology Inc.

    1181 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 54 816 ₽
    • 10 шт - 50 438 ₽
    54 816 ₽
    • от 1 шт — 54 816 ₽
    • от 10 шт — 50 438 ₽
    AS4C4M32SA-6TINTR микросхема памяти, DRAM, SDRAM, 128Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В
    AS4C4M32SA-6TINTR микросхема памяти, DRAM, SDRAM, 128Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В
    Микросхема памяти: объем памяти 128Mb (4M x 32), тактовая частота 166 МГц, напряжение питания 3…3,6 В, корпус 86-TFSOP, поверхностный монтаж (SMD)
    Alliance Memory

    2000 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 747 ₽
    • 10 шт - 2 547 ₽
    • 25 шт - 2 467 ₽
    • 50 шт - 2 351 ₽
    • 100 шт - 2 293 ₽
    2 747 ₽
    • от 1 шт — 2 747 ₽
    • от 10 шт — 2 547 ₽
    IS42RM32400H-75BLI модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile, 128Мбит, 133МГц
    IS42RM32400H-75BLI модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile, 128Мбит, 133МГц
    Микросхема памяти: объем памяти 128Mb (4M x 32), тактовая частота 133 МГц, напряжение питания 2,3…3 В, корпус 90-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    237 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 404 ₽
    • 10 шт - 1 307 ₽
    • 25 шт - 1 268 ₽
    • 50 шт - 1 238 ₽
    1 404 ₽
    • от 1 шт — 1 404 ₽
    • от 10 шт — 1 307 ₽

    dram в разделе: Разъемы для карт памяти - Разъемы модулей памяти79

    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    15645 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 3 155 ₽
    • 20 шт - 1 274 ₽
    • 60 шт - 1 254 ₽
    • 100 шт - 3 092 ₽
    • 200 шт - 1 234 ₽
    3 155 ₽
    • от 1 шт — 3 155 ₽
    • от 20 шт — 1 274 ₽
    2-2013290-1 разъем модуля памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, реверсивный
    2-2013290-1 разъем модуля памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, реверсивный
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    15119 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 921 ₽
    • 10 шт - 782 ₽
    • 25 шт - 733 ₽
    • 50 шт - 698 ₽
    • 100 шт - 665 ₽
    921 ₽
    • от 1 шт — 921 ₽
    • от 10 шт — 782 ₽
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    13048 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 897 ₽
    • 10 шт - 761 ₽
    • 25 шт - 713 ₽
    • 50 шт - 679 ₽
    • 100 шт - 647 ₽
    897 ₽
    • от 1 шт — 897 ₽
    • от 10 шт — 761 ₽
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    8288 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 549 ₽
    • 20 шт - 1 253 ₽
    • 40 шт - 1 193 ₽
    • 60 шт - 1 160 ₽
    • 100 шт - 1 118 ₽
    1 549 ₽
    • от 1 шт — 1 549 ₽
    • от 20 шт — 1 253 ₽
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity

    39 уп. - 3-6 недель

    • 200 шт. в упаковке1 461 ₽ за ед.
    200 шт. в упаковке • 1461 ₽ за ед.
    292 200 ₽ / уп.
    • 200 шт. в упаковке • 1461 ₽ за ед.

    Страница