Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

dram

Найдено: 970

    dram в разделе: Модули памяти770

    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (128 Мб × 16), тактовая частота 933 МГц, напряжение питания 1,283…1,45 В, корпус 96-TFBGA, формат памяти DRAM
    Kingston Technology

    81 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 5 005 ₽
    • 10 шт - 4 633 ₽
    • 25 шт - 4 485 ₽
    • 50 шт - 4 375 ₽
    5 005 ₽
    • от 1 шт — 5 005 ₽
    • от 10 шт — 4 633 ₽
    NDB16PFC-4DIT TR, микросхема памяти, DRAM, SDRAM - DDR2, 1Гбит, 400МГц LTC1558-3.3/LTC1558-5 контроллер резервной батареи, 1.2В, 100мВт, 1.0-1.5В
    NDB16PFC-4DIT TR, микросхема памяти, DRAM, SDRAM - DDR2, 1Гбит, 400МГц LTC1558-3.3/LTC1558-5 контроллер резервной батареи, 1.2В, 100мВт, 1.0-1.5В
    Микросхема памяти: объем памяти 1 Гб (64 Мб × 16), тактовая частота 400 МГц, напряжение питания 1,7…1,9 В, корпус 84-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    Insignis Technology Corporation

    1319 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 877 ₽
    • 10 шт - 1 746 ₽
    • 25 шт - 1 692 ₽
    • 50 шт - 1 652 ₽
    • 100 шт - 1 612 ₽
    1 877 ₽
    • от 1 шт — 1 877 ₽
    • от 10 шт — 1 746 ₽
    MT53E1G32D2NP-046 WT:B модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 32Гбит, 2.133ГГц, 1.1В
    MT53E1G32D2NP-046 WT:B модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile LPDDR4, 32Гбит, 2.133ГГц, 1.1В
    Микросхема памяти: объем памяти 32Gb (1G x 32), тактовая частота 2,133 ГГц, напряжение питания 1,1 В, корпус 200-WFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    Micron

    75 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 65 670 ₽
    65 670 ₽
    • от 1 шт — 65 670 ₽
    AS4C4M32SA-6TINTR микросхема памяти, DRAM, SDRAM, 128Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В
    AS4C4M32SA-6TINTR микросхема памяти, DRAM, SDRAM, 128Мбит, 166МГц, 3В ~ 3.6В
    Микросхема памяти: объем памяти 128Mb (4M x 32), тактовая частота 166 МГц, напряжение питания 3…3,6 В, корпус 86-TFSOP, поверхностный монтаж (SMD)
    Alliance Memory

    2000 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 674 ₽
    • 10 шт - 2 480 ₽
    • 25 шт - 2 402 ₽
    • 50 шт - 2 289 ₽
    • 100 шт - 2 233 ₽
    2 674 ₽
    • от 1 шт — 2 674 ₽
    • от 10 шт — 2 480 ₽
    IS42RM32400H-75BLI модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile, 128Мбит, 133МГц
    IS42RM32400H-75BLI модуль памяти, DRAM, SDRAM - Mobile, 128Мбит, 133МГц
    Микросхема памяти: объем памяти 128Mb (4M x 32), тактовая частота 133 МГц, напряжение питания 2,3…3 В, корпус 90-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    234 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 367 ₽
    • 10 шт - 1 272 ₽
    • 25 шт - 1 234 ₽
    • 50 шт - 1 205 ₽
    1 367 ₽
    • от 1 шт — 1 367 ₽
    • от 10 шт — 1 272 ₽

    dram в разделе: Разъемы для карт памяти - Разъемы модулей памяти78

    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity

    767 уп. - 3-6 недель

    • 20 шт. в упаковке1 308 ₽ за ед.
    20 шт. в упаковке • 1308 ₽ за ед.
    26 160 ₽ / уп.
    • 20 шт. в упаковке • 1308 ₽ за ед.
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    10451 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 873 ₽
    • 10 шт - 741 ₽
    • 25 шт - 695 ₽
    • 50 шт - 661 ₽
    • 100 шт - 630 ₽
    873 ₽
    • от 1 шт — 873 ₽
    • от 10 шт — 741 ₽
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    8254 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 508 ₽
    • 20 шт - 1 220 ₽
    • 40 шт - 1 162 ₽
    • 60 шт - 1 129 ₽
    • 100 шт - 1 089 ₽
    1 508 ₽
    • от 1 шт — 1 508 ₽
    • от 20 шт — 1 220 ₽
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity

    39 уп. - 3-6 недель

    • 200 шт. в упаковке1 387 ₽ за ед.
    200 шт. в упаковке • 1387 ₽ за ед.
    277 400 ₽ / уп.
    • 200 шт. в упаковке • 1387 ₽ за ед.
    MM80-204B1-1 разъем, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, 0.3А
    MM80-204B1-1 разъем, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, 0.3А
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, стандарт MO-268C, особенности защелки
    JAE Electronics

    6973 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 387 ₽
    • 10 шт - 1 178 ₽
    • 25 шт - 1 104 ₽
    • 50 шт - 1 051 ₽
    • 100 шт - 1 001 ₽
    1 387 ₽
    • от 1 шт — 1 387 ₽
    • от 10 шт — 1 178 ₽

    Страница