Вход/Регистрация
irf9z34n
Найдено: 10irf9z34n в разделе: Полевые транзисторы - Одиночные7
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус D2PAK
Infineon Technologies
3366 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 643 ₽
- 10 шт - 322 ₽
- 100 шт - 291 ₽
- 500 шт - 224 ₽
- 800 шт - 219 ₽
643 ₽
- от 1 шт — 643 ₽
- от 10 шт — 322 ₽
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус TO-220AB
INFINEON TECHNOLOGIES
1202 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 180 ₽
- 25 шт - 135 ₽
- 100 шт - 108 ₽
- 1000 шт - 87 ₽
- 5000 шт - 73 ₽
180 ₽
- от 1 шт — 180 ₽
- от 25 шт — 135 ₽
1 уп. - 3-6 недель
- 198 шт. в упаковке280 ₽ за ед.
198 шт. в упаковке • 280 ₽ за ед.
55 440 ₽ / уп.
- 198 шт. в упаковке • 280 ₽ за ед.
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус D2PAK
International Rectifier
- По запросу
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус D2PAK
- По запросу
irf9z34n в разделе: Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)2
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус TO-220AB
International Rectifier
42 уп. - 3-6 недель
- 264 шт. в упаковке209 ₽ за ед.
264 шт. в упаковке • 209 ₽ за ед.
55 176 ₽ / уп.
- 264 шт. в упаковке • 209 ₽ за ед.
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 620 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 55 В, ток стока (Id) 19 А (Tc), корпус TO-220AB
Infineon Technologies
4 уп. - 3-6 недель
- 264 шт. в упаковке209 ₽ за ед.
264 шт. в упаковке • 209 ₽ за ед.
55 176 ₽ / уп.
- 264 шт. в упаковке • 209 ₽ за ед.
Страница