Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

sdram

Найдено: 763

    sdram в разделе: Модули памяти580

    AS4C32M16MSA-6BIN модуль памяти, SDRAM - Mobile SDRAM, 512Мбит, 166МГц, 1.7В ~ 1.95В
    AS4C32M16MSA-6BIN модуль памяти, SDRAM - Mobile SDRAM, 512Мбит, 166МГц, 1.7В ~ 1.95В
    Микросхема памяти: объем памяти 512 Мб (32 М × 16), тактовая частота 166 МГц, напряжение питания 1,7…1,95 В, корпус 54-VFBGA, формат памяти DRAM
    Alliance Memory, Inc.

    96 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 3 666 ₽
    • 10 шт - 3 399 ₽
    • 25 шт - 3 292 ₽
    • 50 шт - 3 212 ₽
    • 100 шт - 3 133 ₽
    3 666 ₽
    • от 1 шт — 3 666 ₽
    • от 10 шт — 3 399 ₽
    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    D1216ECMDXGJD-U модуль памяти, Volatile, DRAM, SDRAM - DDR3L, 2Гбит, 933МГц, 1.283В ~ 1.45В
    Микросхема памяти: объем памяти 2 Гб (128 Мб × 16), тактовая частота 933 МГц, напряжение питания 1,283…1,45 В, корпус 96-TFBGA, формат памяти DRAM
    Kingston Technology

    81 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 5 005 ₽
    • 10 шт - 4 633 ₽
    • 25 шт - 4 485 ₽
    • 50 шт - 4 375 ₽
    5 005 ₽
    • от 1 шт — 5 005 ₽
    • от 10 шт — 4 633 ₽
    EM6HB16EWKA-12H модуль памяти, DDR3L SDRAM, 512Мбит, 800МГц, 1.283В ~ 1.45В
    EM6HB16EWKA-12H модуль памяти, DDR3L SDRAM, 512Мбит, 800МГц, 1.283В ~ 1.45В
    Микросхема памяти: объем памяти 512 Мб (32 М × 16), тактовая частота 800 МГц, напряжение питания 1,283…1,45 В, корпус 96-VFBGA, формат памяти DRAM
    Etron Technology, Inc.

    1 уп. - 3-6 недель

    • 1500 шт. в упаковке500 ₽ за ед.
    1500 шт. в упаковке • 500 ₽ за ед.
    750 000 ₽ / уп.
    • 1500 шт. в упаковке • 500 ₽ за ед.
    MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR микросхема памяти, SDRAM - Mobile LPDDR4, 16Гбит, 2.133ГГц, 1.06В ~ 1.17В
    MT53E512M32D1ZW-046 WT:B TR микросхема памяти, SDRAM - Mobile LPDDR4, 16Гбит, 2.133ГГц, 1.06В ~ 1.17В
    Микросхема памяти: объем памяти 16Gb (512M x 32), тактовая частота 2,133 ГГц, напряжение питания 1,06…1,17 В, корпус 200-TFBGA, формат памяти DRAM
    Micron

    1642 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 32 837 ₽
    • 2000 шт - 32 837 ₽
    32 837 ₽
    • от 1 шт — 32 837 ₽
    • от 2000 шт — 32 837 ₽
    AS4C1G8D3LA-10BIN микросхема памяти, DDR3L SDRAM, 8Гбит, 1.35В, 933МГц
    AS4C1G8D3LA-10BIN микросхема памяти, DDR3L SDRAM, 8Гбит, 1.35В, 933МГц
    Микросхема памяти: объем памяти 8Gb (1G x 8), тактовая частота 933 МГц, напряжение питания 1,28…1,45 В, корпус 78-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    Alliance Memory

    655 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 19 259 ₽
    • 10 шт - 17 764 ₽
    • 25 шт - 17 179 ₽
    • 100 шт - 16 465 ₽
    19 259 ₽
    • от 1 шт — 19 259 ₽
    • от 10 шт — 17 764 ₽

    sdram в разделе: Разъемы для карт памяти - Разъемы модулей памяти76

    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013310-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity

    767 уп. - 3-6 недель

    • 20 шт. в упаковке1 308 ₽ за ед.
    20 шт. в упаковке • 1308 ₽ за ед.
    26 160 ₽ / уп.
    • 20 шт. в упаковке • 1308 ₽ за ед.
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    10451 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 873 ₽
    • 10 шт - 741 ₽
    • 25 шт - 695 ₽
    • 50 шт - 661 ₽
    • 100 шт - 630 ₽
    873 ₽
    • от 1 шт — 873 ₽
    • от 10 шт — 741 ₽
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2013022-1 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity AMP Connectors

    8254 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 508 ₽
    • 20 шт - 1 220 ₽
    • 40 шт - 1 162 ₽
    • 60 шт - 1 129 ₽
    • 100 шт - 1 089 ₽
    1 508 ₽
    • от 1 шт — 1 508 ₽
    • от 20 шт — 1 220 ₽
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    2-2013290-2 разъем для карт памяти, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, особенности направляющая платы, защелки
    TE Connectivity

    39 уп. - 3-6 недель

    • 200 шт. в упаковке1 387 ₽ за ед.
    200 шт. в упаковке • 1387 ₽ за ед.
    277 400 ₽ / уп.
    • 200 шт. в упаковке • 1387 ₽ за ед.
    MM80-204B1-1 разъем, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, 0.3А
    MM80-204B1-1 разъем, SODIMM, 204 позиции, DDR3 SDRAM, 0.3А
    Разъём модуля памяти: количество позиций 204, исполнение соединителя SODIMM, тип памяти DDR3 SDRAM, стандарт MO-268C, особенности защелки
    JAE Electronics

    6973 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 387 ₽
    • 10 шт - 1 178 ₽
    • 25 шт - 1 104 ₽
    • 50 шт - 1 051 ₽
    • 100 шт - 1 001 ₽
    1 387 ₽
    • от 1 шт — 1 387 ₽
    • от 10 шт — 1 178 ₽

    Страница