CY14B104L-BA45XI

Микросхема CY14B104L-BA45XI от Cypress Semiconductor Corp представляет собой энергонезависимую статическую оперативную память (NVSRAM) объемом 4 Мбит.

Основные параметры:

• Объем памяти: 4 Мбит (512 К x 8 бит)
• Тип памяти: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) - энергонезависимая статическая память
• Интерфейс: Параллельный
• Корпус: 48-выводной FBGA
• Напряжение питания: Обычно 3.3В (требуется уточнение по datasheet)
• Температурный диапазон: Расширенный (-40°C до +85°C, требуется уточнение по datasheet)
• Время доступа: Высокая скорость доступа, характерная для SRAM

Плюсы:

• Энергонезависимость: Данные сохраняются при отключении питания.
• Высокая скорость: Быстрый доступ к данным, как у обычной SRAM.
• Надежность: Высокая надежность хранения данных.
• Компактный размер: Корпус FBGA обеспечивает компактное решение.

Минусы:

• Относительно высокая стоимость: NVSRAM обычно дороже, чем другие типы памяти.
• Ограниченный объем: 4 Мбит может быть недостаточно для некоторых приложений.
• Ограниченное количество циклов записи/стирания: Хотя NVSRAM имеет очень большое количество циклов, оно все же ограничено, в отличие от флэш-памяти.

Общее назначение:

CY14B104L-BA45XI предназначена для хранения критически важных данных, которые должны сохраняться при отключении питания. Используется в качестве энергонезависимой памяти для хранения конфигурационных данных, логов, буферов и других важных параметров.

Применение:

• Промышленные контроллеры
• Медицинское оборудование
• Телекоммуникационное оборудование
• Автомобильная электроника (например, хранение настроек и калибровочных данных)
• Портативные устройства
• Сетевое оборудование