FF300R07ME4BOSA1 транзистор IGBT модуль, Trench Field Stop, 650В, 300А, 20мВт

FF300R07ME4BOSA1 Infineon Technologies ГТБ-модуль:

• Номинальное напряжение: 650В
• Номинальный ток: 300А
• Тип: ГТБ-модуль (ГТБ - гипертекстовый транзистор)
• Материал: SiC (сапфир)

Плюсы:

• Высокая скорость переключения
• Высокий коэффициент мощности
• Высокая термическая стабильность
• Компактные размеры

Минусы:

• Высокая стоимость
• Требуются специфические условия эксплуатации
• Необходимо соблюдать правила безопасности при работе с высоким напряжением

Общее назначение:

• Использование в инверторах и преобразователях мощности
• Применение в системах управления приводами
• Работа в источниках питания
• Устройствах с высокими требованиями к эффективности и скорости переключения

В каких устройствах применяется:

• Автомобильных инверторах
• Промышленных преобразователях частоты
• Системах управления промышленными электродвигателями
• Солнечных энергетических системах
• Электротранспорте