Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
IXYN80N90C3H1
IXYN80N90C3H1

IXYN80N90C3H1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS Corp
  • Артикул:
    IXYN80N90C3H1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXYN80N90C3H1 при покупке от 1 шт 8209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN80N90C3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXYN80N90C3H1

  • Package
    Tube
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    900 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    115 A
  • Рассеивание мощности
    500 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 80A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    25 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    4.55 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXYN80
Техническая документация
 IXYN80N90C3H1.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 1 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    8 209 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS Corp
  • Артикул:
    IXYN80N90C3H1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 900V 115A 500W SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена IXYN80N90C3H1 при покупке от 1 шт 8209.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXYN80N90C3H1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXYN80N90C3H1

  • Package
    Tube
  • Конфигурация
    Single
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    900 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    115 A
  • Рассеивание мощности
    500 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.7V @ 15V, 80A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    25 µA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    4.55 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    IXYN80
Техническая документация
 IXYN80N90C3H1.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT75GN120JDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
    APT100GT120JRDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 123A 570W ISOTOP
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    APT75GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    IXXN100N60B3H1Транзистор: IGBT MOD 600V 170A 500W SOT227B
    APT85GR120JD60Транзистор: IGBT MOD 1200V 116A 543W SOT227
    IXXN200N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 280A 940W SOT227B
    APT150GN120JDQ4Транзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    VS-CPV362M4UPBFТранзистор: IGBT MODULE 600V 7.2A 23W IMS-2
    APT150GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    FP7G100US60Транзистор: IGBT, 100A, 600V, N-CHANNEL
    IXYN100N65C3H1Транзистор: IGBT MOD 650V 166A 600W SOT227B
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    APT45GP120JDQ2Транзистор: IGBT MOD 1200V 75A 329W ISOTOP
    APT60GF120JRDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
    APT150GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    FP7G75US60Транзистор: IGBT
    APT200GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 283A 682W ISOTOP
    FMG1G50US60HТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    CM150DY-12NFТранзистор: IGBT MOD 600V 150A 590W
    FMG2G50US60Транзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    MIXA20WB1200TEDТранзистор: IGBT MODULE 1200V 28A 100W E2
    IXDN75N120Транзистор: IGBT MOD 1200V 150A 660W SOT227B
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    IXYN82N120C3H1Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    APT75GT120JU2Транзистор: IGBT MOD 1200V 100A 416W SOT227
    APT100GT120JU2Транзистор: IGBT MOD 1200V 140A 480W SOT227
    FPF2G120BF07ASТранзистор: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Принадлежности
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - массивы
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - Специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные диоды
    Триодные тиристоры - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП