R1LV0816ASB-5SK#B0

R1LV0816ASB-5SK#B0 Renesas Electronics Corporation Микросхема: 8Мб SRAM (512К x 16-бит)

• Основные параметры:
• Объем памяти: 8 Мбайт
• Размер ячейки: 512 К x 16-бит
• Тип памяти: SRAM (Синхронная Рамочная Память)
• Напряжение питания: 2,5 В - 3,6 В
• Частота работы: до 133 МГц
• Плюсы:
• Быстродействие
• Надежность благодаря использованию SRAM технологии
• Прямой доступ к памяти без использования циклов обращения
• Устойчивость к битовым ошибкам
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с DRAM
• Высокое энергопотребление
• Общее назначение:
• Кэш-память процессоров
• Буферное хранение данных в системах управления
• Короткосрочное хранение информации в высокоскоростных приложениях
• В каких устройствах применяется:
• Процессоры и системы на материнской плате
• Коммутаторы и маршрутизаторы
• Аппаратные ускорители графики и видеокарты
• Медиа-декодеры и игровые консоли
• Автомобильные системы управления