600-вольтовые MOSFET ROHM для эффективных промышленных источников питания

Компания ROHM представила семейства силовых MOSFET R60xxXNx и R60xxWNx, выполненных по технологии Super Junction и рассчитанных на рабочее напряжение до 600 В. Новинки ориентированы на современные серверные системы, оборудование центров обработки данных и промышленную электронику, где ключевыми требованиями становятся высокая плотность мощности, эффективный теплоотвод и минимальные потери энергии.

При разработке устройств производитель сделал акцент на сочетании высокой скорости коммутации и современных корпусов для поверхностного монтажа. Благодаря этому новые транзисторы подходят для использования в оборудовании с ограниченным внутренним пространством, включая серверы, предназначенные для обработки задач искусственного интеллекта.

Решение проблемы отвода тепла в современных дата-центрах

Рост вычислительных мощностей серверов и систем искусственного интеллекта сопровождается постоянным увеличением энергопотребления. Чем выше нагрузка на оборудование, тем сложнее обеспечить эффективное охлаждение и стабильную работу источников питания. Именно поэтому разработчики уделяют особое внимание снижению тепловых потерь и увеличению удельной мощности силовой электроники.

Для решения этих задач ROHM предлагает новые MOSFET в двух компактных корпусах для поверхностного монтажа:

• DFN8080-5L (8,0х8,0х0,85 мм) –ультратонкий корпус, предназначенный для устройств с высокой плотностью размещения компонентов. Обеспечивает эффективный теплоотвод при минимальной занимаемой площади на печатной плате.
• TOLL (11,68х9,9х2,3 мм) –корпус увеличенного размера с улучшенными тепловыми характеристиками. Подходит для мощных силовых каскадов, работающих при повышенных нагрузках, и способствует стабильному рассеиванию тепла в источниках питания высокой мощности.

Оба варианта позволяют создавать компактные силовые узлы с эффективным охлаждением, что особенно важно для серверного оборудования, промышленных источников питания и других систем с высокой плотностью компоновки.

Использование поверхностного монтажа помогает уменьшить размеры источников питания без ухудшения их электрических характеристик. Это особенно актуально для серверного оборудования нового поколения, телекоммуникационных систем, промышленных контроллеров и других решений, где каждый миллиметр внутреннего пространства имеет значение.

Совместимость с распространёнными промышленными стандартами

Одним из важных преимуществ новых серий стала ориентация на общепринятые отраслевые стандарты. Корпуса устройств полностью совместимы с широко используемыми посадочными местами, что значительно упрощает модернизацию существующих изделий и снижает зависимость производителей от единственного поставщика компонентов.

Напряжение открытия затвора находится в диапазоне 3–5 В, соответствуя требованиям большинства современных схем управления силовыми MOSFET. Благодаря этому инженеры могут внедрять новые транзисторы в уже разработанные источники питания без серьёзной переработки печатных плат или изменения схемотехнических решений.

Высокая скорость переключения и широкий выбор модификаций

Линейка новых силовых транзисторов включает 32 модели, что позволяет подобрать оптимальное решение для различных задач. В серию R60xxXNx вошла 21 модификация с акцентом на максимально быстрое переключение, а семейство R60xxWNx представлено 11 моделями, отличающимися улучшенными характеристиками восстановления и высокой эффективностью при работе в силовых преобразователях.

Такое разнообразие облегчает выбор компонентов при проектировании серверных блоков питания, промышленных преобразователей, систем автоматизации, телекоммуникационного оборудования и другой современной электроники. В зависимости от требований разработчики могут сделать ставку либо на максимальную совместимость с существующими решениями, либо на снижение коммутационных потерь и повышение общего КПД устройства.

Дополнительным преимуществом новых MOSFET стало снижение внутренних потерь по сравнению с предыдущими поколениями серии R60xxYNx и R60xxVNx. Улучшенные электрические параметры способствуют более эффективной работе силовых каскадов, уменьшению нагрева и повышению надежности оборудования при длительной эксплуатации.

Конкурентоспособное решение для современной силовой электроники

Сегмент 600-вольтовых MOSFET с технологией Super Junction сегодня представлен несколькими ведущими мировыми производителями. Аналогичные решения выпускают компании Infineon, STMicroelectronics и onsemi, однако ROHM делает ставку на сочетание высокой эффективности, совместимости с распространёнными стандартами и удобства интеграции в существующие проекты.

Использование корпусов TOLL и DFN 8×8 позволяет уменьшить паразитную индуктивность, улучшить теплообмен и повысить устойчивость компонентов к многократным температурным циклам по сравнению с традиционными корпусами для выводного монтажа. При этом стандартный диапазон напряжения управления затвором 3–5 В обеспечивает совместимость с большинством распространённых драйверов силовых ключей, что особенно важно для серийного производства промышленной техники и серверного оборудования.

Оценить возможности новых MOSFET ROHM, а также подобрать компоненты для разработки современных источников питания и промышленной электроники можно в ассортименте компании Эиком.

Вывод

Новые MOSFET серии R60xxXNx и R60xxWNx подтверждают стремление ROHM создавать силовые компоненты, отвечающие требованиям современной электронной промышленности. Компактные корпуса поверхностного монтажа, высокая скорость коммутации, улучшенные тепловые характеристики и совместимость с распространёнными стандартами делают эти транзисторы эффективным решением для серверов, центров обработки данных, промышленных источников питания и другого высокопроизводительного оборудования. Благодаря широкому модельному ряду разработчики получают возможность подобрать оптимальный компонент практически для любой силовой схемы, сохранив высокий КПД, надежность и компактность готового устройства.