Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти

ddr4

Найдено: 188

    ddr4 в разделе: Модули памяти59

    MT53E512M32D1NP-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В, 4266Мб/с
    MT53E512M32D1NP-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В, 4266Мб/с
    Микросхема: IC MEMORY DRAM 16G 512MX32 FBGA
    Micron

    385 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 33 726 ₽
    33 726 ₽
    • от 1 шт — 33 726 ₽
    MT53E512M64D2RR-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В, 4266 Мб/с
    MT53E512M64D2RR-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В, 4266 Мб/с
    Микросхема: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
    MICRON

    680 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 79 406 ₽
    79 406 ₽
    • от 1 шт — 79 406 ₽
    MT53E512M64D2NW-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В
    MT53E512M64D2NW-046 WT:B модуль памяти, LPDDR4X/LPDDR4 SDRAM, 1.8В, 1.1В, 0.6В
    Микросхема: IC MEMORY DRAM 32G 512MX64 FBGA
    MICRON

    595 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 35 231 ₽
    35 231 ₽
    • от 1 шт — 35 231 ₽
    IS43QR16256B-083RBLI микросхема памяти, DRAM, DDR4, 4Гбит, 1.2ГГц
    IS43QR16256B-083RBLI микросхема памяти, DRAM, DDR4, 4Гбит, 1.2ГГц
    Микросхема памяти: объем памяти 4 Гб (256 Мб × 16), тактовая частота 1,2 ГГц, напряжение питания 1,14…1,26 В, корпус 96-BGA, формат памяти DRAM
    INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

    198 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 2 601 ₽
    • 10 шт - 2 367 ₽
    • 25 шт - 2 305 ₽
    • 50 шт - 2 205 ₽
    • 100 шт - 2 067 ₽
    2 601 ₽
    • от 1 шт — 2 601 ₽
    • от 10 шт — 2 367 ₽
    IS43QR16512A-083TBLI микросхема памяти, DDR4 SDRAM, 8Гбит, 1.2ГГц, 1.14В ~ 1.26В
    IS43QR16512A-083TBLI микросхема памяти, DDR4 SDRAM, 8Гбит, 1.2ГГц, 1.14В ~ 1.26В
    Микросхема памяти: объем памяти 8Gb (512M x 16), тактовая частота 1,2 ГГц, напряжение питания 1,14…1,26 В, корпус 96-TFBGA, поверхностный монтаж (SMD)
    INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI

    134 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 4 417 ₽
    • 5 шт - 4 190 ₽
    • 10 шт - 3 881 ₽
    • 25 шт - 3 730 ₽
    • 50 шт - 3 581 ₽
    4 417 ₽
    • от 1 шт — 4 417 ₽
    • от 5 шт — 4 190 ₽

    ddr4 в разделе: Разъемы для памяти28

    10145226-0241N13LF разъем для памяти, DDR4 TH, DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    10145226-0241N13LF разъем для памяти, DDR4 TH, DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    Разъём для модуля памяти: количество позиций 288, монтаж в отверстия (THT), исполнение соединителя DIMM, тип памяти DDR4 SDRAM, стандарт MO-309
    Amphenol ICC (FCI)

    219 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 556 ₽
    • 10 шт - 472 ₽
    • 25 шт - 442 ₽
    • 50 шт - 421 ₽
    • 100 шт - 401 ₽
    556 ₽
    • от 1 шт — 556 ₽
    • от 10 шт — 472 ₽
    10129206-0010013LF разъем для памяти, DDR4 ULP TH, DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    10129206-0010013LF разъем для памяти, DDR4 ULP TH, DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    Разъём для модуля памяти: количество позиций 288, монтаж в отверстия (THT), исполнение соединителя DIMM, тип памяти DDR4 SDRAM, стандарт MO-309
    Amphenol ICC (FCI)

    63 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 1 562 ₽
    • 10 шт - 1 326 ₽
    • 25 шт - 1 243 ₽
    • 50 шт - 1 184 ₽
    1 562 ₽
    • от 1 шт — 1 562 ₽
    • от 10 шт — 1 326 ₽
    2308107-6 разъём для памяти, DDR4 DIMM, 288 PIN, DDR4 SDRAM
    2308107-6 разъём для памяти, DDR4 DIMM, 288 PIN, DDR4 SDRAM
    Разъём для модуля памяти: количество позиций 288, монтаж в отверстия (THT), исполнение соединителя DIMM, тип памяти DDR4 SDRAM, стандарт MO-309
    TE Connectivity AMP Connectors

    3448 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 345 ₽
    • 10 шт - 293 ₽
    • 25 шт - 275 ₽
    • 50 шт - 261 ₽
    • 100 шт - 249 ₽
    345 ₽
    • от 1 шт — 345 ₽
    • от 10 шт — 293 ₽
    2308107-1 разъем для памяти, DDR4 DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    2308107-1 разъем для памяти, DDR4 DIMM, 288 позиций, DDR4 SDRAM
    Разъём для модуля памяти: количество позиций 288, монтаж в отверстия (THT), исполнение соединителя DIMM, тип памяти DDR4 SDRAM, стандарт MO-309
    TE Connectivity AMP Connectors

    1085 шт - 3-6 недель

    • 1 шт - 345 ₽
    • 10 шт - 293 ₽
    • 25 шт - 275 ₽
    • 50 шт - 261 ₽
    • 100 шт - 249 ₽
    345 ₽
    • от 1 шт — 345 ₽
    • от 10 шт — 293 ₽
    9-2199155-1 разъем для памяти, DDR4 DIMM, 288 контактов, SMT
    9-2199155-1 разъем для памяти, DDR4 DIMM, 288 контактов, SMT
    Разъём для модуля памяти: количество позиций 288, поверхностный монтаж (SMD), исполнение соединителя DIMM, тип памяти DDR4 SDRAM
    TE Connectivity

    441 уп. - 3-6 недель

    • 37 шт. в упаковке501 ₽ за ед.
    37 шт. в упаковке • 501 ₽ за ед.
    18 537 ₽ / уп.
    • 37 шт. в упаковке • 501 ₽ за ед.

    Страница