Вход/Регистрация
irf1010e
Найдено: 14irf1010e в разделе: Полевые транзисторы - Одиночные13
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 3210 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 84 А (Tc), корпус TO-220AB
INFINEON TECHNOLOGIES
33 шт - 3-6 недель
- 1 шт - 335 ₽
- 10 шт - 202 ₽
- 50 шт - 165 ₽
- 250 шт - 130 ₽
- 1000 шт - 107 ₽
335 ₽
- от 1 шт — 335 ₽
- от 10 шт — 202 ₽
1 уп. - 3-6 недель
- 34 шт. в упаковке1 591 ₽ за ед.
34 шт. в упаковке • 1591 ₽ за ед.
54 094 ₽ / уп.
- 34 шт. в упаковке • 1591 ₽ за ед.
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2810 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 75 А (Tc), корпус TO-220AB
Infineon Technologies
- По запросу
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2810 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 75 А (Tc), корпус D2PAK
International Rectifier
- По запросу
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2810 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 75 А (Tc), корпус D2PAK
Infineon Technologies AG
- По запросу
irf1010e в разделе: Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)1
Полевой транзистор: входная ёмкость Ciss, макс. при Vds 2810 пФ @ 25 В, напряжение сток-исток ( (Vdss) 60 В, ток стока (Id) 75 А (Tc), корпус TO-220AB
International Rectifier
- По запросу