Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
FPF2G120BF07AS
FPF2G120BF07AS

FPF2G120BF07AS

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FPF2G120BF07AS
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2Все характеристики

Минимальная цена FPF2G120BF07AS при покупке от 4 шт 18558.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FPF2G120BF07AS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FPF2G120BF07AS

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Конфигурация
    3 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250 µA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    F2
  • Base Product Number
    FPF2G120
Техническая документация
 FPF2G120BF07AS.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 980 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 4
    18 558 ₽

Минимально и кратно 4 шт
Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Fairchild Semiconductor
  • Артикул:
    FPF2G120BF07AS
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2Все характеристики

Минимальная цена FPF2G120BF07AS при покупке от 4 шт 18558.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FPF2G120BF07AS с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FPF2G120BF07AS

  • Тип IGBT
    Field Stop
  • Конфигурация
    3 Independent
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    650 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    40 A
  • Рассеивание мощности
    156 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    2.2V @ 15V, 40A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    250 µA
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    Yes
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    F2
  • Base Product Number
    FPF2G120
Техническая документация
 FPF2G120BF07AS.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    APT35GP120JDQ2Транзистор: IGBT MOD 1200V 64A 284W ISOTOP
    FP7G50US60Транзистор: IGBT
    APTGT50H60T3GТранзистор: IGBT MODULE 600V 80A 176W SP3
    CM450DY-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 410A 3330W
    APT60GF120JRDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 149A 625W ISOTOP
    FPF2G120BF07ASТранзистор: IGBT MODULE 650V 40A 156W F2
    IXBN75N170AТранзистор: IGBT MOD 1700V 75A 625W SOT227B
    APT60GA60JD60Транзистор: IGBT MOD 600V 112A 356W ISOTOP
    APT75GP120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 128A 543W ISOTOP
    FMG2G400US60Транзистор: IGBT, 400A, 600V, N-CHANNEL
    APTGT200DU120GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 280A 890W SP6
    MIXA20WB1200TEDТранзистор: IGBT MODULE 1200V 28A 100W E2
    APT150GN60JDQ4Транзистор: IGBT MOD 600V 220A 536W ISOTOP
    APT75GN120JDQ3Транзистор: IGBT MOD 1200V 124A 379W ISOTOP
    APT150GN120JТранзистор: IGBT MOD 1200V 215A 625W ISOTOP
    IXGN320N60A3Транзистор: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
    CM150DY-12NFТранзистор: IGBT MOD 600V 150A 590W
    CM300DX-24SТранзистор: IGBT MOD 1200V 300A 2270W
    APTGT50DDA120T3GТранзистор: IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
    APT80GP60JТранзистор: IGBT MOD 600V 151A 462W ISOTOP
    IXYN100N65A3Транзистор: IGBT MOD 650V 170A 600W SOT227B
    IXXN110N65B4H1Транзистор: IGBT MOD 650V 215A 750W SOT227B
    FMG1G50US60LТранзистор: IGBT, 50A, 600V, N-CHANNEL
    IXYN82N120C3Транзистор: IGBT MOD 1200V 105A 500W SOT227B
    IXGN400N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 430A 1000W SOT227B
    MIXA300PF1200TSFТранзистор: IGBT MOD 1200V 465A 1500W
    APTGT600U170D4GТранзистор: IGBT MODULE 1700V 1100A 2900W D4
    IXGN200N60B3Транзистор: IGBT MOD 600V 300A 830W SOT227B
    APTGT75A60T1GТранзистор: IGBT MODULE 600V 100A 250W SP1
    VS-GT105NA120UXТранзистор: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды силовые
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Принадлежности
    Диоды - выпрямители - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диодные мосты
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП