Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диоды силовые

Диоды силовые

Сбросить фильтр
Популярные
HZ6A1-90-E

Renesas Electronics Corporation

HZ6A1-90-E
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

37500 шт - 3-6 недель

55 380 ₽

1846 шт — 30 ₽

MURS360BJ

WeEn Semiconductors

MURS360BJ
Диод: ULTRAFAST POWER DIODE

28100 шт - 3-6 недель

110 ₽

1 шт — 110 ₽

100 шт — 44 ₽

HZ6C3-90

Renesas Electronics Corporation

HZ6C3-90
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

25146 шт - 3-6 недель

55 380 ₽

1846 шт — 30 ₽

WND08P16DJ

WeEn Semiconductors

WND08P16DJ
Диод: STANDARD POWER DIODE

20677 шт - 3-6 недель

264 ₽

1 шт — 264 ₽

10 шт — 166 ₽

WNS40100CQ

WeEn Semiconductors

WNS40100CQ
Диод: POWER SCHOTTKY DIODES

14995 шт - 3-6 недель

264 ₽

1 шт — 264 ₽

10 шт — 177 ₽

HZ6A1-90

Renesas Electronics Corporation

HZ6A1-90
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

14380 шт - 3-6 недель

55 380 ₽

1846 шт — 30 ₽

DSA17C

onsemi

DSA17C
SILICON POWER RECTIFIER DIODE

14320 шт - 3-6 недель

58 144 ₽

1817 шт — 32 ₽

HZ6B2-1TD-E

Renesas Electronics Corporation

HZ6B2-1TD-E
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

12500 шт - 3-6 недель

57 694 ₽

2219 шт — 26 ₽

BYV32EX-300PQ

WeEn Semiconductors

BYV32EX-300PQ
Диод: DUAL ULTRAFAST POWER DIODE

8855 шт - 3-6 недель

314 ₽

1 шт — 314 ₽

50 шт — 149 ₽

HZ5HC3-E

Renesas Electronics Corporation

HZ5HC3-E
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

8000 шт - 3-6 недель

57 694 ₽

2219 шт — 26 ₽

BYV410X-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV410X-600PQ
Диод: ULTRAFAST POWER DIODE

7837 шт - 3-6 недель

351 ₽

1 шт — 351 ₽

50 шт — 168 ₽

HZ5HB1-E

Renesas Electronics Corporation

HZ5HB1-E
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

6500 шт - 3-6 недель

57 694 ₽

2219 шт — 26 ₽

DSP45-18A

IXYS

DSP45-18A
POWER DIODE DISCRETES-RECTIFIER

5741 шт - 3-6 недель

1 320 ₽

1 шт — 1 320 ₽

30 шт — 769 ₽

HZS6.2NB2-1TA-E

Renesas Electronics Corporation

HZS6.2NB2-1TA-E
DIODE ZENER FOR STABIL POWER

5000 шт - 3-6 недель

55 380 ₽

1846 шт — 30 ₽

NXPSC166506Q

WeEn Semiconductors

NXPSC166506Q
Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

3003 шт - 3-6 недель

1 245 ₽

1 шт — 1 245 ₽

50 шт — 719 ₽

WNSC06650T6J

WEEN SEMICONDUCTORS

WNSC06650T6J
Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

3000 шт - 3-6 недель

486 ₽

1 шт — 486 ₽

10 шт — 384 ₽

WNSC08650T6J

WEEN SEMICONDUCTORS

WNSC08650T6J
Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

2940 шт - 3-6 недель

815 ₽

1 шт — 815 ₽

10 шт — 535 ₽

WNSC04650T6J

WEEN SEMICONDUCTORS

WNSC04650T6J
Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

2550 шт - 3-6 недель

399 ₽

1 шт — 399 ₽

10 шт — 269 ₽

WNSC10650T6J

WEEN SEMICONDUCTORS

WNSC10650T6J
Диод: SILICON CARBIDE POWER DIODE

2320 шт - 3-6 недель

886 ₽

1 шт — 886 ₽

10 шт — 590 ₽

BYV10MX-600PQ

WeEn Semiconductors

BYV10MX-600PQ
Диод: ULTRAFAST POWER DIODE IN 2-LEADS

Диоды силовые

Диоды силовые: невидимые стражи энергетических потоков

В мире, который стремительно цифровизируется, основами любого преобразования энергии остаются дискретные полупроводниковые компоненты, и силовые диоды — их фундаментальная, незаменимая часть. Если представить себе современную силовую электронику как сложную систему шлюзов и каналов, управляющих потоками энергии, то диоды выступают в роли надежных обратных клапанов. Они гарантируют, что ток течет только в одном направлении, предотвращая опасные обратные броски и обеспечивая стабильность работы всего устройства. Их важность невозможно переоценить: от зарядного устройства вашего смартфона и бытового инвертора до систем управления тягой в электромобилях и мощных промышленных выпрямительных установок — везде, где переменный ток необходимо преобразовать в постоянный или где нужно защитить цепи от обратного напряжения, silently трудятся эти компоненты.

Их «силовая» природа заключается в способности работать с высокими напряжениями (до нескольких киловольт) и пропускать через себя огромные токи (сотни ампер), рассеивая при этом значительную тепловую мощность. В отличие от своих малосигнальных собратьев, силовые диоды сконструированы так, чтобы минимизировать прямые падения напряжения и, как следствие, снизить бесполезные тепловые потери, повышая общий КПД системы. Именно эффективность и надежность этих элементов напрямую влияет на энергопотребление, габариты и стоимость конечного продукта, делая их выбор критически важным этапом проектирования любой мощной электронной аппаратуры.

От кристаллов карборунда к кремниевой революции и далее

История силовых диодов уходит корнями в начало XX века, когда были обнаружены первые полупроводниковые свойства и созданы кристаллические детекторы на основе точечного контакта. Однако настоящий прорыв произошел с изобретением p-n перехода и началом массового производства кремниевых диодов во второй половине века. Кремний быстро вытеснил германий и селеновые выпрямители благодаря своему более широкому запрещенной зоне, что позволило компонентам работать при гораздо более высоких температурах и напряжениях. Физика работы силового диода, основанная на образовании обедненной области на границе p и n материалов, осталась неизменной, но технологии их изготовления совершили колоссальный эволюционный скачок.

Ключевым этапом стало развитие диффузионной и, позднее, эпитаксиальной технологии, позволившей точно контролировать толщину и легирование кристалла для достижения заданных вольт-амперных характеристик. Дальнейшая миниатюризация и рост мощностей потребовали решения проблемы динамических процессов — особенно времени обратного восстановления, когда диод переходит из проводящего состояния в закрытое. Это привело к появлению целого класса быстрых и ультрабыстрых диодов, в которых за счет управления lifetime носителей заряда (время жизни неосновных носителей) удалось радикально сократить этот параметр, уменьшив коммутационные потери в импульсных источниках питания. Постоянная борьба за снижение прямого падения напряжения и улучшение динамических характеристик продолжается и сегодня, двигая индустрию вперед.

Разнообразие архитектур для специализированных задач

Современный рынок силовых диодов предлагает богатейший выбор, где каждый тип оптимизирован под конкретные условия эксплуатации. Наиболее архаичными, но до сих пор востребованными благодаря своей надежности и способности переносить большие токи перегрузки, являются p-i-n диоды. В их структуру добавлена собственная (i — intrinsic) слаболегированная область, которая позволяет увеличить напряжение пробоя, но негативно сказывается на быстродействии. Им на смену для высокочастотных применений пришли диоды Шоттки, работающие на принципе барьера металл-полупроводник. Их главное преимущество — крайне низкое прямое падение напряжения (~0.2-0.4 В) и практически нулевое время обратного восстановления, что делает их идеальными для низковольтных выходных выпрямителей SMPS.

Однако диоды Шоттки неприменимы в высоковольтных схемах из-за большого обратного тока утечки. Для высокочастотных и высоковольтных задач были разработаны быстрые кремниевые эпитаксиальные диоды, а настоящим технологическим прорывом стало появление диодов на основе карбида кремния (SiC). Благодаря втрое большей ширине запрещенной зоны SiC-диоды способны работать при температурах до 200 °C и выше, обладают исключительными показателями обратного восстановления (оно практически отсутствует) и допускают огромную плотность тока. Это открыло двери для создания сверхкомпактных и эффективных систем питания нового поколения. Отдельно стоит отметить лавинные диоды, спроектированные так, чтобы безопасно работать в области пробоя, что активно используется в схемах защиты от перенапряжений.

Диоды силовые: невидимые стражи энергопотоков

В мире, который стремится к энергоэффективности, силовые диоды выполняют роль фундаментальных элементов, тихо и надежно управляя мощностью в тысячах устройств вокруг нас. В отличие от своих маломощных собратьев, эти компоненты созданы для работы с серьезными токами и высокими напряжениями, выступая в роли идеальных электрических клапанов. Они пропускают ток лишь в одном направлении, эффективно преобразуя переменный ток в постоянный, защищая цепи от перенапряжений и обеспечивая стабильность работы систем. Без них немыслима работа практически любого импульсного источника питания, промышленного привода или системы возобновляемой энергетики, где требуется точный и надежный контроль над мощными энергопотоками.

Их ценность заключается в способности минимизировать потери энергии в виде тепла, что напрямую влияет на КПД всего устройства. Современные силовые диоды — это продукт десятилетий развития полупроводниковых технологий, где каждый новый материал и архитектура кристалла — это шаг к снижению прямого падения напряжения и увеличению скорости переключения. От массивных ламповых выпрямителей прошлого века до сегодняшних компактных, но мощных кремниевых и карбид-кремниевых сборок — их эволюция определяет прогресс в силовой электронике, позволяя создавать более легкие, мощные и экономичные системы.

Где работают силовые диоды: от смартфона до электросети

Практические сценарии применения силовых диодов невероятно разнообразны и охватывают практически все области техники. Возьмем, к примеру, зарядное устройство вашего ноутбука или игровой консоли. Внутри него находится выпрямительный мост — сборка из четырех диодов, которая преобразует переменный ток из розетки в постоянный, необходимый для питания электроники. В электромобиле мощные диоды Шоттки являются ключевым элементом onboard-зарядного устройства, а также участвуют в системе рекуперативного торможения, возвращая энергию обратно в аккумумулятор. В промышленности они являются сердцем частотных преобразователей, плавно регулирующих скорость вращения мощных асинхронных двигателей насосов, вентиляторов и конвейерных лент, экономя до 50% электроэнергии.

Солнечные и ветровые электростанции также немыслимы без этих компонентов. Здесь диоды используются в блоках объединения стрингов (string combiners) для предотвращения обратных токов от исправных панелей к поврежденным, а также в инверторах, преобразующих постоянный ток от панелей в переменный для подачи в общую сеть. Даже в наших домах они повсюду: в системах умного дома, стабилизаторах напряжения, источниках бесперебойного питания (ИБП) для компьютеров и отопительных котлов. Их надежность гарантирует, что скачок напряжения в сети не выведет из строя дорогую бытовую технику, а бесперебойник успеет переключиться на батарею и дать вам время корректно завершить работу.

Как выбрать правильный диод: ключевые параметры

Выбор силового диода — это всегда компромисс между ключевыми параметрами, и понимание их критично для надежной работы вашего проекта. Первое, на что стоит обратить внимание — это максимальное обратное напряжение (VR или VRRM). Оно должно как минимум на 20-30% превышать максимальное напряжение, которое может возникнуть в вашей цепи в заблокированном состоянии диода. Второй фундаментальный параметр — средний прямой ток (IF(AV)), определяющий нагрузочную способность компонента. Однако не стоит выбирать его впритык: диод, работающий на пределе своего номинала, будет сильно перегреваться и быстро выйдет из строя.

Не менее важны динамические характеристики. Прямое падение напряжения (VF) напрямую влияет на тепловыделение: чем оно ниже, тем выше КПД системы. Для высокочастотных преобразователей критична скорость восстановления (reverse recovery time, trr). Медленные диоды (например, p-n) в таких схемах будут вызывать значительные коммутационные потери и помехи. Здесь оптимальным выбором станут быстрые диоды (Fast Recovery) или диоды Шоттки, у которых этот параметр сведен к минимуму, хотя они и проигрывают в максимальном обратном напряжении. Всегда учитывайте необходимость и тип теплоотвода, так как рассеивание тепла — главная challenge при работе с мощными полупроводниками.

Почему стоит выбрать именно «Эиком Ру»

Приобретая силовые диоды в «Эиком Ру», вы получаете не просто компонент, а гарантию стабильности и долговечности для ваших разработок. Наш складской ассортимент включает тысячи позиций от ведущих мировых производителей (ON Semiconductor, Vishay, STMicroelectronics, Infineon) — от классических выпрямительных диодов до инновационных решений на основе карбида кремния (SiC), что позволяет нам оперативно закрывать любые ваши задачи, будь то ремонт промышленного оборудования или запуск новой серии устройств. Мы тщательно проверяем цепочки поставок и работаем только с официальными дистрибьюторами, поэтому каждое изделие имеет гарантированное качество и соответствует заявленным характеристикам.

Мы понимаем, что стоимость компонентов — важная часть себестоимости конечного продукта, поэтому предлагаем конкурентные цены и гибкие условия для проектов любого масштаба, от розничных покупок до крупных оптовых контрактов. И главное — для всех клиентов из России мы организовали бесплатную доставку, чтобы вы могли получить необходимые радиодеталы быстро и без лишних затрат. Наша техническая поддержка готова помочь вам с подбором аналогов и консультацией по применению, экономя ваше время на поиск информации. С «Эиком Ру» вы инвестируете в надежность и эффективность.

Рекомендуемые товары

Все товары
Рекомендуемые товары
    Taiwan Semiconductor Corporation
    TSM500P02CX RFGMOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT23
    82Кешбэк 12 баллов
    Harris Corporation
    HGTP15N40E1Транзистор: 15A, 400V, N-CHANNEL IGBT
    353Кешбэк 52 балла
    Diodes Incorporated
    FMMT495TCTRANS NPN 150V 1A SOT23-3
    108Кешбэк 16 баллов
    Nexperia USA Inc.
    BZX84-A24,215Диод: DIODE ZENER 24V 250MW TO236AB
    138Кешбэк 20 баллов
    STMicroelectronics
    STTH8ST06DIДиод: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
    228Кешбэк 34 балла
    Nexperia USA Inc.
    NZX36X,133DIODE ZENER 36.27V 500MW ALF2
    39Кешбэк 5 баллов
    Central Semiconductor Corp
    CMDZ5233B TR PBFREEДиод: DIODE ZENER 6V 250MW SOD323
    32Кешбэк 4 балла
    onsemi
    NTMFS0D7N03CGT1GMOSFET N-CH 30V 59A/409A 5DFN
    471Кешбэк 70 баллов
    Littelfuse Inc.
    2N6071BGTRIAC SENS GATE 200V 4A TO225AA
    247Кешбэк 37 баллов
    STMicroelectronics
    STW52NK25ZMOSFET N-CH 250V 52A TO247-3
    1 288Кешбэк 193 балла
    Fairchild Semiconductor
    KSD363RTRANS NPN 120V 6A TO220-3
    131Кешбэк 19 баллов
    Toshiba Semiconductor and Storage
    SSM3K72KCT,L3FMOSFET N-CH 60V 400MA CST3
    33.6Кешбэк 5 баллов
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП