Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
Ищите товары по списку. Загрузите список товаров, чтобы не искать каждый товар отдельно
ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)

Популярные
Количество
FP7G100US60

Fairchild Semiconductor

FP7G100US60
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 6,085 нФ @ 30 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 100 А, корпус EPM7

462 уп. - 3-6 недель

53 508 ₽ / уп.

7 шт. в упаковке • 7644 ₽ за ед.

FP7G75US60

Fairchild Semiconductor

FP7G75US60
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 4,515 нФ @ 30 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 75 А, корпус EPM7

359 уп. - 3-6 недель

54 056 ₽ / уп.

8 шт. в упаковке • 6757 ₽ за ед.

FP7G50US60

Fairchild Semiconductor

FP7G50US60
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 2,92 нФ @ 30 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 50 А, корпус EPM7

230 уп. - 3-6 недель

53 550 ₽ / уп.

9 шт. в упаковке • 5950 ₽ за ед.

IXGN320N60A3

IXYS

IXGN320N60A3
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 18 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 320 А, корпус SOT-227B

1347 шт - 3-6 недель

9 767 ₽

1 шт — 9 767 ₽

10 шт — 7 386 ₽

APT60GA60JD60

Microchip Technology

APT60GA60JD60
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 8,01 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 112 А, корпус ISOTOP®

1202 шт - 3-6 недель

5 507 ₽

1 шт — 5 507 ₽

100 шт — 4 470 ₽

APT150GN120J

Microchip Technology

APT150GN120J
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 9,5 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 215 А, корпус ISOTOP

1045 шт - 3-6 недель

8 797 ₽

1 шт — 8 797 ₽

100 шт — 7 141 ₽

FPF2G120BF07AS

Fairchild Semiconductor

FPF2G120BF07AS
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 40 А, обратный ток коллектора (Max) 250 мкА, корпус модуль

326 уп. - 3-6 недель

62 199 ₽ / уп.

3 шт. в упаковке • 20733 ₽ за ед.

IXYN100N120C3H1

IXYS

IXYN100N120C3H1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 6 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 134 А, корпус SOT-227B

933 шт - 3-6 недель

8 621 ₽

1 шт — 8 621 ₽

10 шт — 6 468 ₽

HGT1N30N60A4D

Fairchild Semiconductor

HGT1N30N60A4D
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 96 А, обратный ток коллектора (Max) 250 мкА, корпус SOT-227B

69 уп. - 3-6 недель

54 054 ₽ / уп.

13 шт. в упаковке • 4158 ₽ за ед.

IXXN110N65C4H1

IXYS

IXXN110N65C4H1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 3,69 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 210 А, корпус SOT-227B

568 шт - 3-6 недель

6 645 ₽

1 шт — 6 645 ₽

10 шт — 4 910 ₽

IXYN100N65A3

IXYS

IXYN100N65A3
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 170 А, обратный ток коллектора (Max) 25 мкА, корпус SOT-227B

471 шт - 3-6 недель

5 865 ₽

1 шт — 5 865 ₽

10 шт — 4 486 ₽

IXGN400N60B3

IXYS

IXGN400N60B3
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 31 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 430 А, корпус SOT-227B

434 шт - 3-6 недель

14 336 ₽

1 шт — 14 336 ₽

10 шт — 11 081 ₽

APT75GP120JDQ3

Microchip Technology

APT75GP120JDQ3
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 7,04 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 128 А, корпус ISOTOP

429 шт - 3-6 недель

8 742 ₽

1 шт — 8 742 ₽

100 шт — 7 095 ₽

IXGN100N170

IXYS

IXGN100N170
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 9,22 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1700 В, максимальный ток коллектора (Ic) 160 А, тип IGBT ДНЯО

330 шт - 3-6 недель

15 786 ₽

1 шт — 15 786 ₽

10 шт — 12 269 ₽

IXXN110N65B4H1

IXYS

IXXN110N65B4H1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 3,65 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 650 В, максимальный ток коллектора (Ic) 215 А, корпус SOT-227B

270 шт - 3-6 недель

6 588 ₽

1 шт — 6 588 ₽

10 шт — 4 960 ₽

IXXN100N60B3H1

IXYS

IXXN100N60B3H1
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 4,86 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 170 А, корпус SOT-227B

268 шт - 3-6 недель

6 821 ₽

1 шт — 6 821 ₽

10 шт — 5 047 ₽

IXYN120N120C3

IXYS

IXYN120N120C3
IGBT-модуль: напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 240 А, обратный ток коллектора (Max) 25 мкА, корпус SOT-227B

222 шт - 3-6 недель

8 069 ₽

1 шт — 8 069 ₽

10 шт — 6 031 ₽

APT100GT120JU2

Microchip Technology

APT100GT120JU2
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 7,2 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 140 А, корпус ISOTOP

161 шт - 3-6 недель

6 213 ₽

1 шт — 6 213 ₽

IXXN200N60B3

IXYS

IXXN200N60B3
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 9,97 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 600 В, максимальный ток коллектора (Ic) 280 А, корпус SOT-227B

143 шт - 3-6 недель

6 421 ₽

1 шт — 6 421 ₽

10 шт — 4 734 ₽

IXYN82N120C3

IXYS

IXYN82N120C3
IGBT-модуль: входная емкость (Cies) 4,1 нФ @ 25 В, напряжение пробоя коллектор-эмиттер 1200 В, максимальный ток коллектора (Ic) 105 А, корпус SOT-227B

133 шт - 3-6 недель

6 371 ₽

1 шт — 6 371 ₽

10 шт — 4 695 ₽

IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором) — 0 , актуальные цены и наличие на складе

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) в модулях представляют собой мощные полупроводниковые устройства, сочетающие в себе характеристики как биполярных транзисторов, так и полевых транзисторов. Эти модули предназначены для управления высокими токами и напряжениями, обеспечивая высокую эффективность и надежность. IGBT модули используются в различных силовых и промышленных приложениях, где требуется высокое качество и стабильность управления мощностью.

Применение

IGBT модули находят широкое применение в различных областях промышленности и энергетики.

Основные области их использования включают:

  • Преобразователи частоты: используются для управления и регулирования скорости электродвигателей в промышленных установках.
  • Силовая электроника: применяются в источниках питания, инверторах и других устройствах для преобразования и стабилизации напряжения и тока.
  • Электрические транспортные средства: используются в системах управления двигателями и зарядки аккумуляторов для электромобилей и гибридных автомобилей.
  • Системы управления двигателями: применяются в промышленных и бытовых устройствах для управления скоростью и мощностью электродвигателей.
  • Сварочное оборудование: используются в устройствах для дуговой сварки и плазменной резки для обеспечения стабильного и мощного управления током.
  • Возобновляемая энергетика: применяются в солнечных и ветровых энергетических установках для преобразования и передачи энергии.

Совместимость

IGBT модули совместимы с широким спектром электронных компонентов и систем, что позволяет их использовать в различных приложениях. Они могут быть интегрированы с микроконтроллерами, датчиками, конденсаторами и другими элементами для создания эффективных схем управления и преобразования мощности. Благодаря своей универсальности, эти модули находят применение в бытовой технике, телекоммуникационных системах, медицинском оборудовании и промышленной автоматике.

Модули IGBT играют ключевую роль для специалистов в области инженерии и разработки, предоставляя эффективное и надежное управление электрической мощностью и сигналами в разнообразных устройствах.

Эти модули, благодаря своим уникальным характеристикам и широким возможностям применения, востребованы в самых различных отраслях, таких как энергетика, транспорт, промышленная автоматизация и бытовая техника. Их способность работать при высоких напряжениях и токах делает их незаменимыми для многих современных технологий, обеспечивая долговечность и стабильность работы оборудования.

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули (Дискретные полупроводники)

Силовые модули IGBT: сердце современной силовой электроники

Когда речь заходит о контроле и преобразовании значительных мощностей в промышленных масштабах, на сцену выходят биполярные транзисторы с изолированным затвором в модульном исполнении. Эти компоненты являются не просто радиодеталями, а скорее высокотехнологичными сборками, спроектированными для управления энергией в десятки и сотни киловатт. Их практическое применение окружает нас повсеместно, хотя и скрыто от глаз. Именно модуль IGBT плавно разгоняет вагон метро, преобразуя постоянное напряжение контактного рельса в переменное для тягового электродвигателя. В ветряных генераторах они отвечают за стабилизацию переменного тока перед его отправкой в общую сеть. Каждый современный промышленный инверторный сварочный аппарат, обеспечивающий ровный и стабильный шов, своим быстродействием и эффективностью обязан именно такой силовой сборке. Без них были бы невозможны ни точное управление скоростью мощных двигателей насосов и вентиляторов, ни работа штамповочных прессов с ЧПУ, ни даже системы рекуперативного торможения в электромобилях Tesla, которые возвращают энергию обратно в аккумулятор.

Модуль IGBT для силовой электроники

Эволюция мощности: от отдельных ключей к интеллектуальным сборкам

История развития IGBT-модулей — это путь интеграции и оптимизации. Изначально разработчикам силовой электроники приходилось собирать мощные инверторы из дискретных транзисторов, что было сопряжено с трудностями синхронизации, сложной схемотехникой защиты и громоздкими системами охлаждения. Появление модулей стало революцией: в одном термостойком корпусе стали объединять несколько ключей, собранных в стандартные топологии (полумост, полный мост, трёхфазный инвертор), вместе с частью вспомогательных элементов. Это не только радикально сократило габариты конечных устройств, но и значительно повысило их надёжность за счёт идеально подобранных параметров параллельных ключей и единой системы теплоотвода. Современные тенденции ведут к созданию интеллектуальных силовых модулей (IPM), которые интегрируют на одной подложке драйверы, защиту от перегрузки по току и короткого замыкания, датчики температуры и даже самодиагностику. Такая компоновка минимизирует паразитные индуктивности монтажа, что критически важно для работы на высоких частотах переключения, и позволяет создавать более компактные и эффективные частотные преобразователи и сервоприводы.

Ключевые аспекты выбора силового модуля

Выбор конкретного IGBT-модуля — это всегда поиск баланса между техническими требованиями проекта и экономической целесообразностью. Первым делом необходимо определить рабочие напряжение и ток: максимальное коллектор-эмиттерное напряжение VCES должно с запасом превышать шину питания, а номинальный ток IC выбирается с учётом пиковых нагрузок и эффективности системы охлаждения. Не менее важен класс технологии: транзисторы серий Trench Gate или Field Stop рассчитаны на более высокие частоты переключения с меньшими динамическими потерями, что актуально для импульсных источников питания, в то время как классические NPT-структуры отличаются высочайшей стойкостью к перегрузкам. Обязательно анализируйте паразитные параметры: индуктивность внутренних соединений модуля напрямую влияет на величию выбросов напряжения при коммутации. Тип и материал корпуса определяют совместимость с системами охлаждения (радиатор или холодная плита), а также стойкость к термическим циклам, что напрямую коррелирует с сроком службы всего преобразователя в условиях переменных нагрузок.

Почему заказ IGBT-модулей доверяют «Эиком Ру»

Приобретение таких критически важных и дорогостоящих компонентов, как силовые модули, требует абсолютного доверия к поставщику. «Эиком Ру» предлагает не просто каталог, а комплексное решение для инженеров и procurement-специалистов. Наш ассортимент включает продукцию лидеров рынка — Infineon, Mitsubishi Electric, Fuji Electric, SEMIKRON — что позволяет подобрать модуль под любую задачу, от ремонта устаревшего промышленного привода до создания инновационного проекта с нуля. Мы тщательно контролируем цепочку поставок и гарантируем оригинальность каждой единицы товара, предоставляя все необходимые сертификаты. Собственные склады и налаженная логистика обеспечивают минимальные сроки отгрузки, а гибкая система скидок и программа бесплатной доставки по всей территории России делает сотрудничество не только безопасным, но и максимально выгодным. Вы получаете надежного партнера, который берет на себя все риски, связанные с поставкой качественных электронных компонентов.

Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП