1N1200A

1N1200A GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 12A DO4

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (UDRM): 100В
• Номинальный ток прямого тока (ID): 12А
• Форма пакета: DO4
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию SiC-технологии
• Высокая скорость перехода через ноль
• Малый размер и вес за счет компактной конструкции
• Устойчивость к тепловым циклам и высоким температурам
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
• Требуются специфические условия установки и эксплуатации
• Общее назначение:
• Используется для защиты электронных схем от обратного тока
• Применяется в системах управления двигателей
• Способствует повышению эффективности преобразователей напряжения
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления двигателем
• Преобразователи напряжения для солнечных панелей
• Системы управления электродвигателями в промышленности
• Электропитание мобильных устройств и ноутбуков