Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N2130A
  • В избранное
  • В сравнение
1N2130A

1N2130A

1N2130A
;
1N2130A

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    1N2130A
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 60A DO5Все характеристики

Минимальная цена 1N2130A при покупке от 1 шт 2173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N2130A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N2130A

1N2130A GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 150V 60A DO5

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 150В
    • Рейтингный ток прямого тока (IRRM) - 60А
    • Тип корпуса - DO5
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса для эффективного использования места
    • Высокие скорости переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует точного монтажа и работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Обеспечение быстрого переключения в высокочастотных приложениях
    • Изоляция стадий в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Блоках питания
    • Системах управления двигателем
    • Инверторах
    • Электронных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики 1N2130A

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    70A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    25 µA @ 150 V
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-5
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C

Техническая документация

 1N2130A.pdf
pdf. 0 kb
  • 188 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    2 173 ₽
  • 10
    1 795 ₽
  • 25
    1 664 ₽
  • 100
    1 484 ₽
  • 300
    1 375 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GeneSiC Semiconductor
  • Артикул:
    1N2130A
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 60A DO5Все характеристики

Минимальная цена 1N2130A при покупке от 1 шт 2173.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N2130A с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N2130A

1N2130A GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 150V 60A DO5

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VBR(1mA)) - 150В
    • Рейтингный ток прямого тока (IRRM) - 60А
    • Тип корпуса - DO5
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер корпуса для эффективного использования места
    • Высокие скорости переключения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требует точного монтажа и работы с высокими напряжениями
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Обеспечение быстрого переключения в высокочастотных приложениях
    • Изоляция стадий в блоках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах
    • Блоках питания
    • Системах управления двигателем
    • Инверторах
    • Электронных преобразователях
Выбрано: Показать

Характеристики 1N2130A

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    150 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    70A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.25 V @ 200 A
  • Скорость
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    25 µA @ 150 V
  • Вид монтажа
    Stud Mount
  • Корпус
    DO-203AB, DO-5, Stud
  • Исполнение корпуса
    DO-5
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 200°C

Техническая документация

 1N2130A.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ER3D-TPДиод: DIODE GEN PURP 200V 3A DO214AB
    100Кешбэк 15 баллов
    BAS16-GDIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
    46Кешбэк 6 баллов
    MURD310T4DIODE GEN PURP 100V 3A DPAK
    124Кешбэк 18 баллов
    SS16-LTPDIODE SCHOTTKY 1A 60V SMA
    4.7Кешбэк 1 балл
    RS1D-E3/61TДиод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC
    39.5Кешбэк 5 баллов
    STPS2L25UFDIODE SCHOTTKY 25V 2A SMBFLAT
    32.4Кешбэк 4 балла
    STPS5L60SДиод: DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
    137Кешбэк 20 баллов
    RS2G-13-FDIODE GEN PURP 400V 1.5A SMB
    56Кешбэк 8 баллов
    1N4448W-E3-08Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
    21Кешбэк 3 балла
    MCL101A-TRDIODE SCHOTTKY 60V 30MA MICROMLF
    18.3Кешбэк 2 балла
    STTH8R04DIДиод: DIODE GEN PURP 400V 8A TO220AC
    94Кешбэк 14 баллов
    IDL02G65C5XUMA1DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4
    269Кешбэк 40 баллов
    SS5P4HM3_A/HDIODE SCHOTTKY 40V 5A TO277A
    91Кешбэк 13 баллов
    CMS10(TE12L,Q,M)DIODE SCHOTTKY 40V 1A MFLAT
    85Кешбэк 12 баллов
    SB5H100-E3/73DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
    189Кешбэк 28 баллов
    STTH102RLDIODE GEN PURP 200V 1A DO41
    54Кешбэк 8 баллов
    1N5408GP-TPDIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
    98Кешбэк 14 баллов
    BYM10-200-E3/96Диод: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
    76Кешбэк 11 баллов
    SE20PD-M3/84ADIODE GEN PURP 200V 1.6A DO220AA
    91Кешбэк 13 баллов
    STPS3H100UFДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 3A SMBFLAT
    46Кешбэк 6 баллов
    US1BFADIODE GEN PURP 100V 1A SOD123FA
    46Кешбэк 6 баллов
    SDUR3060WДиод: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247AC
    446Кешбэк 66 баллов
    SD1206S040S2R0Диод: DIODE SCHOTTKY 40V 2A 1206
    80Кешбэк 12 баллов
    BAV202-GS08Диод: DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD80
    21.5Кешбэк 3 балла
    1SS355-TPДиод: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD323
    17.5Кешбэк 2 балла
    VS-8EWF06STR-M3DIODE GEN PURP 600V 8A D-PAK
    711Кешбэк 106 баллов
    GS1A-LTPДиод: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC
    22.7Кешбэк 3 балла
    V8P10-M3/86AДиод: DIODE SCHOTTKY 100V 8A TO277A
    69Кешбэк 10 баллов
    LQA30T300DIODE GEN PURP 300V 30A TO220AC
    285Кешбэк 42 балла
    DFLS130LQ-7Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 1A POWERDI123
    101Кешбэк 15 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП