Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Одиночные
1N3595
  • В избранное
  • В сравнение
1N3595

1N3595

1N3595
;
1N3595

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    1N3595
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N3595 при покупке от 1 шт 18.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N3595 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N3595

1N3595 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 150V 200mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 150В
    • Ток прямого тока: 200мА
    • Форма корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для компактного размещения
  • Минусы:
    • Ограниченный ток прямого тока (200мА)
    • Высокое внутреннее сопротивление при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Сглаживание сетевого напряжения
    • Контроль тока в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики 1N3595

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 nA @ 125 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N3595.pdf
pdf. 0 kb
  • 30659 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    18.4 ₽
  • 100
    14 ₽
  • 1000
    7.9 ₽
  • 5000
    5.9 ₽
  • 50000
    4.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    1N3595
  • Описание:
    DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35Все характеристики

Минимальная цена 1N3595 при покупке от 1 шт 18.40 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N3595 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N3595

1N3595 ON Semiconductor DIODE GEN PURP 150V 200mA DO35

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 150В
    • Ток прямого тока: 200мА
    • Форма корпуса: DO35
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Малый размер корпуса для компактного размещения
  • Минусы:
    • Ограниченный ток прямого тока (200мА)
    • Высокое внутреннее сопротивление при высоких температурах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного тока
    • Сглаживание сетевого напряжения
    • Контроль тока в различных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Радиоприемники и передатчики
    • Микроконтроллерные системы
    • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики 1N3595

  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    125 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io)
    200mA (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1 V @ 200 mA
  • Скорость
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    3 µs
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    1 nA @ 125 V
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Корпус
    Axial
  • Исполнение корпуса
    Axial
  • Рабочая температура pn-прехода
    -65°C ~ 150°C

Техническая документация

 1N3595.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    VSSAF5N50-M3/6ADIODE SCHOTTKY 50V 3A DO221AC
    107Кешбэк 16 баллов
    BYG10K-E3/TR3DIODE AVALANCHE 800V 1.5A
    70Кешбэк 10 баллов
    BAT54WS-G3-08Диод: DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
    40.5Кешбэк 6 баллов
    MURS160HE3_A/IДиод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
    110Кешбэк 16 баллов
    BYV28-600-TRДиод: DIODE AVALANCHE 600V 3.5A SOD64
    213Кешбэк 31 балл
    SD101BWS-E3-18DIODE SCHOTTKY 150MW 50V SOD323
    40.5Кешбэк 6 баллов
    SD101CWS-E3-08Диод: DIODE SCHOTTKY 150MW 40V SOD323
    40.5Кешбэк 6 баллов
    RGP02-15E-E3/54DIODE GEN PURP 1.5KV 500MA DO204
    129Кешбэк 19 баллов
    1N4448W-E3-18Диод: DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
    27.6Кешбэк 4 балла
    1N4448W-G3-18DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    BAS40-00-E3-08DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT23
    24Кешбэк 3 балла
    BYM10-800-E3/97DIODE GEN PURP 800V 1A DO213AB
    68Кешбэк 10 баллов
    AU1PD-M3/84ADIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    59Кешбэк 8 баллов
    BAS16D-G3-08DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123
    31Кешбэк 4 балла
    SB140-E3/53DIODE SCHOTTKY 1A 40V DO-41
    88Кешбэк 13 баллов
    SE15PBHM3/85ADIODE GEN PURP 100V 1.5A DO220AA
    92Кешбэк 13 баллов
    AU1PDHM3/84ADIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    145Кешбэк 21 балл
    AR1PD-M3/84ADIODE AVALANCHE 200V 1A DO220AA
    79Кешбэк 11 баллов
    AU1PGHM3/84AДиод: DIODE AVALANCHE 400V 1A DO220AA
    145Кешбэк 21 балл
    BAT42WS-HE3-08DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD323
    57Кешбэк 8 баллов
    BAV20WS-HE3-08DIODE GEN PURP 150V 250MA SOD323
    31Кешбэк 4 балла
    SE20FG-M3/HDIODE GEN PURP 400V 1.7A DO219AB
    61Кешбэк 9 баллов
    UF4004-E3/53DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    127Кешбэк 19 баллов
    1N4936-E3/73Диод: DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AL
    31Кешбэк 4 балла
    MUR460-M3/54DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
    164Кешбэк 24 балла
    SB1H90-E3/54DIODE SCHOTTKY 90V 1A DO204AL
    75Кешбэк 11 баллов
    MURS160-E3/5BTДиод: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AA
    61Кешбэк 9 баллов
    SS10P5HM3_A/IDIODE SCHOTTKY 50V 7A TO277A
    250Кешбэк 37 баллов
    VS-3EMH06-M3/5ATDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AC
    50Кешбэк 7 баллов
    VSSA36S-M3/61TDIODE SCHOTTKY 60V 2.4A DO214AC
    90Кешбэк 13 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Симисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Тиристоры - SCR
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    IGBT транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП