1N3673AR

1N3673AR GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4

• Основные параметры:
• Максимальное напряжение (V_BR): 1 кВ
• Рейтингный ток (I_RM): 12 А
• Тип корпуса: DO4
• Плюсы:
• Высокая надежность и долговечность благодаря использованию GaN технологий.
• Высокая скорость переключения.
• Низкий коэффициент вольт-амперной характеристики.
• Малый размер и легкость.
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами.
• Требуют специального оборудования для монтажа.
• Общее назначение:
• Используется в различных приборах и системах, где требуется высокая эффективность и надежность.
• Подходит для применения в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления током и других электронных устройствах.
• Применение:
• Источники питания для ноутбуков и других портативных устройств.
• Автомобильные системы питания.
• Преобразователи энергии для солнечных панелей.
• Коммунальные системы питания.