1N3768

1N3768 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 1 кВ
• Рейтингный ток: 35 А
• Форм-фактор: DO5
• Плюсы:
• Высокое напряжение сопротивления
• Высокая токовая способность
• Устойчивость к перенагрузкам
• Малый размер и легкость в установке
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
• Требует специального обслуживания и охлаждения для высоких токов
• Общее назначение:
• Использование в высоковольтных приборах
• Защита от обратного тока
• Передача энергии между различными частями электронной системы
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильная электроника
• Промышленные преобразователи
• Системы управления двигателем
• Питание высоковольтных устройств