Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
1N3879

1N3879

1N3879
;
1N3879

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена 1N3879 при покупке от 1 шт 1321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N3879 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N3879

1N3879 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VRRM): 50В
    • Номинальный ток прямого тока (IR): 6А
    • Форма корпуса: DO4
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Долговечность и стабильность характеристик при высоких температурах
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют специального кooling для работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение тока в схемах
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N3879

Техническая документация

1N3879.pdf
pdf. 0 kb
  • 59 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 321 ₽
  • 10
    1 075 ₽
  • 25
    990 ₽
  • 100
    875 ₽
  • 250
    806 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена 1N3879 при покупке от 1 шт 1321.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить 1N3879 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание 1N3879

1N3879 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 50V 6A DO4

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VRRM): 50В
    • Номинальный ток прямого тока (IR): 6А
    • Форма корпуса: DO4
  • Плюсы:
    • Высокая скорость перехода
    • Долговечность и стабильность характеристик при высоких температурах
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Малый размер и легкий вес
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
    • Требуют специального кooling для работы при больших токах
  • Общее назначение:
    • Защита электронных устройств от обратного напряжения
    • Переключение тока в схемах
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Системы управления двигателей
    • Промышленное оборудование
    • Энергосберегающие устройства
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики 1N3879

Техническая документация

1N3879.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории