1N3880

1N3880 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 100V 6A DO4

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение: 100В
• Разрядная способность: 6А
• Форм-фактор: DO4
• Плюсы:
• Высокое напряжения выдерживаемое
• Высокая разрядная способность
• Компактный размер (DO4)
• Устойчивость к температурным перепадам
• Минусы:
• Высокая стоимость по сравнению с обычными диодами
• Требует более сложного проектирования для эффективной работы
• Общее назначение:
• Защита от обратного напряжения
• Свободное отключение электропитания
• Переключение высокочастотных сигналов
• Применение в устройствах:
• Автомобильные системы
• Инверторы
• Системы управления мощностью
• Промышленное оборудование
• Электронные устройства высокой частоты