1N3881

1N3881 GeneSiC Semiconductor DIODE GEN PURP 200V 6A DO4

• Основные параметры:
  • Номинальное напряжение: 200В
  • Ток прямого тока: 6А
  • Форма корпуса: DO4
• Плюсы:
  • Высокая частота работы
  • Низкое сопротивление при прохождении тока
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Малый размер и легкий вес
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
  • Необходимость соблюдения правил обращения с высоким напряжением
• Общее назначение:
  • Защита электронных устройств от обратного напряжения
  • Переключение тока в электронных цепях
  • Преобразование напряжения
• В каких устройствах применяется:
  • Автомобильная электроника
  • Инверторы и преобразователи напряжения
  • Системы управления двигателем
  • Энергосберегающие приборы