1N3881R

1N3881R GeneSiC Semiconductor DIODE

• Назначение: Общего назначения
• Ревизия: REV 200V
• Ток номинальный: 6А
• Напряжение срабатывания: 200В

Основные параметры:

• Материал: SiC (Германий)
• Форм-фактор: DO4
• Тип: Диод

Плюсы:

• Высокая частота работы до 100 кГц и выше
• Низкое сопротивление в проводимом состоянии
• Высокая температура эксплуатации до +200°C и выше
• Высокая стабильность характеристик при изменении температуры

Минусы:

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными диодами
• Ограниченное количество производителей

Общее назначение: Используется в различных приборах и системах, требующих высокой частоты работы и высоких температур эксплуатации.

Применяется в:

• Питательных цепях
• Превращателях питания
• Инвертерах
• Драйверах для мощных электронных устройств
• Автомобильной электронике
• Промышленном оборудовании